[实用新型]一种电流注入式E类功率放大器

权利要求书

1.一种电流注入式E类功率放大器，其特征在于，包括：电流源、射频扼流圈、由共源共栅的两个NMOS管组成的开关电路、包含泻放通路的辅助电流注入电路、无源匹配电路、负载电阻；由直流偏置信号接入电流源，且电流源经射频扼流圈连接至开关电路；所述开关电路接入输入开关信号后分别连接至辅助电流注入电路、无源匹配电路；所述辅助电流注入电路分别接入直流输入电流、注入控制信号、泄放控制信号，且辅助电流注入电路经无源匹配电路连接至功率放大器的输出端，所述功率放大器的输出端连接负载电阻；其中

输入开关信号、注入控制信号、泄放控制信号均来自一组差分信号，以实现对电流注入周期的控制。

2.根据权利要求1所述电流注入式E类功率放大器，其特征在于：所述开关电路包括NMOS管M₁、NMOS管M₂、隔直电容C₁，其中NMOS管M₁的栅极经隔直电容C₁接入输入开关信号PA_SIGNAL，及NMOS管M₁的栅极同时连接直流偏置电压PA_BIAS，NMOS管M₁的漏极连接NMOS管M₂的源级且NMOS管M₁的源极接地；所述NMOS管M₂的漏级经射频扼流圈连接至电流源，且NMOS管M₂的栅极连接电流源后接地。

3.根据权利要求2所述电流注入式E类功率放大器，其特征在于：所述电流源包括PMOS管M₃、滤波电阻R₁和滤波电容C₂，其中PMOS管M₃的源极连接电源，其栅极连接直流偏置信号CSIN且其漏极分别连接射频扼流圈、滤波电阻R₁的一端；所述滤波电阻R₁的另一端分别连接至NMOS管M₂的栅极、滤波电容C₂的一端，且滤波电容C₂的另一端接地。

4.根据权利要求1所述电流注入式E类功率放大器，其特征在于：所述辅助电流注入电路包括由NMOS管M₃₁、NMOS管M₃₂构成的第一级电流镜像、由PMOS管M₃₃、PMOS管M₃₄构成的第二级电流镜像、由NMOS管M₃₅和NMOS管M₃₆构成的电流注入和泻放对管、第一限流电阻R₂；其中，NMOS管M₃₁的漏极和栅极短接后接入直流输入电流，且NMOS管M₃₁的栅极与NMOS管M₃₂的栅极连接，及二者源级均接地；所述PMOS管M₃₃的漏极与NMOS管M₃₂的漏极连接，同时PMOS管M₃₃的栅极和漏极短接后接入PMOS管M₃₄的栅极，且PMOS管M₃₃的源极与PMOS管M₃₄的源极均连接电源VDD；所述PMOS管M₃₄的漏极分别连接NMOS管M₃₅的漏极、NMOS管M₃₆的漏极；所述NMOS管M₃₅的栅极连接注入控制信号，且其源级连接开关电路；所述NMOS管M₃₆的栅极连接泄放控制信号，及其源级连接第一限流电阻R₂的一端，所述第一限流电阻R₂的另一端接地。

5.根据权利要求1所述电流注入式E类功率放大器，其特征在于：还包括用于产生输入开关信号的高低压转换及驱动电路，以及用于产生注入控制信号、泄放控制信号的驱动电路。