[实用新型]功率驱动倒相装置及低端驱动转高端驱动电路

权利要求书

1.功率驱动倒相装置，其特征在于：包括输入端（1）,所述输入端（1）连接假负载（2）的一端，所述假负载（2）的另一端接电源电压端，所述输入端（1）还连接信号调理电路（3）的输入端，所述信号调理电路（3）的输出端接输出驱动电路（4）的输入端，所述输出驱动电路（4）的输出端连接功率开关（5）的输入端，所述功率开关（5）连接电源电压端并由所述输出驱动电路（4）的信号驱动开关。

2.根据权利要求1所述的功率驱动倒相装置，其特征在于：所述假负载为阻值在10KΩ±1 KΩ的电阻。

3.根据权利要求1所述的功率驱动倒相装置，其特征在于：所述信号调理电路是一个比较点可调的迟滞比较器电路。

4.根据权利要求1所述的功率驱动倒相装置，其特征在于：包括与输入端连接的第五电阻（R5），所述第五电阻（R5）的另一端接运放器（U2A）的正向输入端并与接地的第四电阻（R4）配合对输入信号进行分压，所述运放器（U2A）的反向输入端连接第三电阻（R3）和第十电阻（R10）的一端，所述第十电阻（R10）的另一端接地，所述第三电阻（R3）的另一端接电源电压端；所述运放器（U2A）的输出端连接控制其回差范围的第二电阻（R2）及第九电阻（R9）。

5.根据权利要求1所述的功率驱动倒相装置，其特征在于：所述功率开关（5）是导通阻抗在10-200毫欧之间的MOSFET或高端智能开关。

6.根据权利要求1-5任一所述的功率驱动倒相装置，其特征在于：所述功率开关（5）是高端智能开关，所述输出驱动电路包括与信号调理电路的输出端连接的第六电阻（R6），所述第六电阻（R6）与接地的第八电阻（R8）串接并且将信号调理电路的输出信号分压得到控制高端智能开关的开关状态的电压范围值后输出给高端智能开关。

7.根据权利要求6所述的功率驱动倒相装置，其特征在于：所述功率开关（5）为双路高端智能输出开关，其包括两路并联的开关，所述双路高端智能输出开关的电源端接电源，接地端接地，且两个输出端均连接并联的第一二极管（D1）和第二二极管（D2）的负极，所述第一二极管和第二二极管的正极接地。

8.根据权利要求1-5任一所述的功率驱动倒相装置，其特征在于：所述功率开关是P型MOSFET,所述输出驱动电路包括与信号调理电路连接的第十二电阻（R12），所述第十二电阻（R12）连接开关管（Q3）的基极，所述开关管（Q3）的集电极接地，所述开关管的发射极接第十一电阻（R11）的一端，所述第十一电阻（R11）的另一端连接稳压管（V4）的阴极及P型MOSFET的门极，所述稳压管（V4）的阳极接电源及P型MOSFET的漏极，所述P型MOSFET的源极接输出端（output）。

9.根据权利要求1-5任一所述的功率驱动倒相装置，其特征在于：所述功率开关（5）是N型MOSFET,所述输出驱动电路（4）包括与信号调理电路的输出端连接的升压电路（41）及第十八电阻（R18）的一端，所述升压电路的输出端及第十八电阻（R18）的另一端均连接互锁式开关电路（42）的输入端，所述互锁式开关电路的输出端连接所述N型MOSFET的门极，所述N型MOSFET的漏极接电源电压端，所述电源电压端通过第十七电阻（R17）接所述N型MOSFET的门级，所述N型MOSFET的源极接输出端。

10.低端驱动转高端驱动电路，包括控制设备（10）及包括电源、负载的电气系统（20），其特征在于：所述控制设备（10）通过权利要求1-9任一所述的功率驱动倒相装置（30）连接所述电气系统（20），所述功率驱动倒相装置（30）将控制设备（10）与电气系统(20)的低端驱动电路切换为高端驱动电路。