[实用新型]晶圆减薄设备有效
申请号: | 201920598026.9 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN209766373U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 周至军;高英哲;张文福;吕慧超 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687 |
代理公司: | 31295 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 减薄 中转装置 传输区 本实用新型 减薄设备 清洗模组 装片区 模组 湿法 并列设置 传递路径 晶圆清洗 清洗操作 生产效率 依次设置 种晶 传输 返回 污染 优化 | ||
1.一种晶圆减薄设备,其特征在于,包括沿第一方向依次设置的装片区、第一传输区、工作区以及第二传输区,所述工作区并列设置有用于晶圆清洗的清洗模组和用于湿法减薄的减薄模组,所述第二传输区设置有晶圆中转装置,所述晶圆中转装置用于将经所述清洗模组和减薄模组中的一个处理之后的晶圆传输给另一个。
2.如权利要求1所述的晶圆减薄设备,其特征在于,所述装片区并列设置有第一装片区和第二装片区,所述第一传输区并列设置有第一传输装置和第二传输装置,所述第一传输装置在所述第一装片区和所述清洗模组之间传输晶圆,所述第二传输装置在所述第二装片区和所述减薄模组之间传输晶圆。
3.如权利要求2所述的晶圆减薄设备,其特征在于,所述清洗模组包括清洗腔室和第一晶圆抓取装置,所述第一晶圆抓取装置在所述第一传输装置和所述清洗腔室之间传递晶圆,以及在所述清洗腔室和所述晶圆中转装置之间传递晶圆;所述减薄模组包括减薄腔室和第二晶圆抓取装置,第二晶圆抓取装置在所述第二传输装置和所述减薄腔室之间传递晶圆,以及在所述减薄腔室和所述晶圆中转装置之间传递晶圆。
4.如权利要求3所述的晶圆减薄设备,其特征在于,所述第一晶圆抓取装置包括第一传输臂和与所述第一传输臂的一端连接的第一抓取臂,所述第一抓取臂以自身轴线为轴可旋转,并以穿过与所述第一传输臂的连接点,且平行于第一方向的直线为轴可翻转;
所述第二晶圆抓取装置包括第二传输臂和与所述第二传输臂的一端连接的第二抓取臂,所述第二抓取臂以自身轴线为轴可旋转,并以穿过与所述第二传输臂的连接点,且平行于第一方向的直线为轴可翻转。
5.如权利要求4所述的晶圆减薄设备,其特征在于,所述清洗模组还包括:
第一轨道,沿第一方向延伸且设置于所述清洗腔室和减薄腔室之间,所述第一传输臂的另一端滑动设置于所述第一轨道上。
6.如权利要求5所述的晶圆减薄设备,其特征在于,所述清洗腔室的数量为多个,多个所述清洗腔室沿所述第一方向排列。
7.如权利要求4所述的晶圆减薄设备,其特征在于,所述减薄模组还包括:
第二轨道,沿所述第一方向延伸且设置于所述清洗腔室和减薄腔室之间,所述第二传输臂的另一端滑动设置于所述第二轨道上。
8.如权利要求7所述的晶圆减薄设备,其特征在于,所述减薄腔室的数量为多个,多个所述减薄腔室沿所述第一方向排列。
9.如权利要求1所述的晶圆减薄设备,其特征在于,所述晶圆中转装置包括机械手,所述机械手具有用于夹持晶圆的夹持部、与所述夹持部连接的伸缩部以及与所述伸缩部连接的固定部,所述夹持部靠近所述伸缩部的一端设置有限位针,所述夹持部远离所述伸缩部的一端设置有吸盘。
10.如权利要求1所述的晶圆减薄设备,其特征在于,所述晶圆为硅晶圆,包括正面和背面,所述晶圆的正面形成有光电二极管,利用所述晶圆减薄设备从背面一侧减薄所述晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造