[实用新型]刻蚀机台

说明书

本实用新型提供了一种刻蚀机台，包括：腔室、第一气体传送装置及第二气体传送装置，所述第一气体传送装置包括：第一气体管路及第一喷头；所述第二气体传送装置包括：第二气体管路及多个第二喷头，所述第二气体管路包括：第一分支管路及第二分支管路，其中，所述第二分支管路环绕所述腔室内侧壁设置，各所述第二喷头安装在所述第二分支管路上。通过所述第一喷头以及所述第二喷头能够同时向腔室内喷射反应气体，使反应气体喷向腔室内的晶圆边缘区域与中心区域的流量趋于一致，从而提高晶圆边缘区域的刻蚀速率，有效地改善晶圆刻蚀的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，特别涉及一种刻蚀机台。

背景技术

随着科技的快速发展，高科技电子产品已普遍应用于日常生活中，例如手机、平板电脑、数码相机等电子产品。这些电子产品内部包括许多半导体芯片，而半导体芯片的材料来源就是晶圆。为了能够满足高科技电子产品的大量需求，晶圆制造业在如何使得晶圆的制造流程更加快速、高效方面，不断地进行着研发与改良。

现有晶圆刻蚀工艺中，刻蚀机台包括：气体传送装置及腔室，所述气体传送装置设于所述腔室内并位于腔室内放置的晶圆的上方，用于向晶圆表面喷射刻蚀晶圆需要的反应气体。但是现有刻蚀机台存在晶圆的边缘区域相较于中心区域反应气体聚集得更多的现象，导致晶圆的边缘区域相较于中心区域刻蚀不均匀的缺陷，因此，开发一种能够提高晶圆刻蚀均匀性的刻蚀机台是有必要的。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种刻蚀机台，以解决晶圆表面刻蚀不均匀的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种刻蚀机台，包括：腔室、第一气体传送装置及第二气体传送装置；

所述第一气体传送装置包括：第一气体管路及第一喷头，所述第一气体管路与所述第一喷头相连，所述第一喷头设于所述腔室内；

所述第二气体传送装置包括：第二气体管路及多个第二喷头，所述第二气体管路包括：第一分支管路及第二分支管路，所述第一分支管路与所述第二分支管路相连通，所述第二分支管路环绕所述腔室内侧壁设置，各所述第二喷头均设置于所述第二分支管路上。

可选的，在所述刻蚀机台中，各所述第二喷头处于同一水平面上。

可选的，在所述刻蚀机台中，所述第二喷头的数量大于或者等于3个，且各所述第二喷头均匀设置于所述第二分支管路上。

可选的，在所述刻蚀机台中，所述刻蚀机台还包括：第一电极及第二电极，所述第一电极设于所述腔室内壁上，所述第二电极设于所述腔室内且与所述腔室内壁具有间隙。

可选的，在所述刻蚀机台中，所述第二电极在所述腔室内的高度等于或者小于所述第二分支管路在所述腔室内的高度，所述第二电极能够承载晶圆。

可选的，在所述刻蚀机台中，所述第一喷头上设有一开口，所述开口正对所述第二电极表面的中心。

可选的，在所述刻蚀机台中，各所述第二喷头上设有多个出气孔，所述出气孔均朝向所述第二电极的边缘。

可选的，在所述刻蚀机台中，靠近所述第一分支管路的所述第二喷头上的所述出气孔的数量小于或者等于远离所述第一分支管路的所述第二喷头上的所述出气孔的数量。

可选的，在所述刻蚀机台中，各所述第二喷头输出的气体流量与所述第一喷头输出的气体流量相同。

可选的，在所述刻蚀机台中，所述第二分支管路为圆形气体管路、椭圆形气体管路或者多段弧形气体管路。

可选的，在所述刻蚀机台中，所述刻蚀机台还包括：气体供应装置，所述气体供应装置设于所述腔室侧，所述第一气体传送装置及所述第二气体传送装置均与所述气体供应装置相连通。