[实用新型]可集成式硅振荡器结构

权利要求书

1.可集成式硅振荡器结构，其特征在于：所述的可集成式硅振荡器结构，有三种谐振器的结构，MEMS芯片与CMOS集成电路通过键合工艺集成在一起，在CMOS集成电路上直接制备硅谐振器，单独的MEMS硅谐振器，集成电路芯片也是单独的；

MEMS谐振器通过键合工艺与CMOS集成电路集成在一起；与CMOS电路键合集成硅振荡器结构，分为三种结构：

第一种结构：带有引线键合盘的可与CMOS集成电路键合的硅谐振器，由腔体晶圆（1），吸气剂（5），微谐振器（3），键合区域（2），CMOS集成电路晶圆（6），引线键合盘（4），衬底（8）组成；

第二种结构：带有硅通孔金属连接的可与CMOS集成电路键合的硅谐振器，由腔体晶圆（1），吸气剂（5），微谐振器（3），键合区域（2），CMOS集成电路晶圆（6），硅通孔（7），金属凸块（9）组成；

第三种结构：带有热控制的可与CMOS集成电路键合的硅谐振器；

由腔体晶圆（1）、吸气剂（5）、微谐振器（3）、键合区域（2）、CMOS集成电路晶圆（6）、硅通孔（7）和金属凸块（9）组成，热控制金属线条（12），热隔离槽（13）组成；此种结构可以始终保持硅谐振器的温度为常数，可以在外部温度环境变化更大的时候提供稳定的输出频率；

腔体晶圆（1）：由硅、SOI晶圆、带有外延层的硅晶圆构成；

微谐振器（3）：由硅组成，属于腔体晶圆一部分，通过光刻，刻蚀工艺在腔体晶圆上制备而成；

键合区域（2）：腔体晶圆（1）与CMOS集成电路晶圆（6）通过键合工艺结合成为一个整体，键合区域（2）就是腔体晶圆（1）与CMOS集成电路晶圆（6）的连接部分；CMOS集成电路晶圆（6）：由硅材料组成，为谐振器提供电学处理功能；引线键合区域（2）：由Al，Cu金属材料组成，为振荡器提供外部电学连接；硅通孔（7）：用于振荡器外部电学连接用，硅通孔中填充铜金属作为电学介质；金属凸块（9）：与硅通孔中通金属连接，用于电学连接用，由金属材料组成；热控制金属线条（12）：通过金属沉积工艺，当通过电流时产生热量，用于调节硅谐振器的温度，使其温度始终为常数，提供更稳定的频率输出。

2.按照权利要求1所述的可集成式硅振荡器结构，其特征在于：所述的谐振器的位置与晶圆（10）晶向需要成0-45°角。