[实用新型]面光源模组

权利要求书

1.一种面光源模组，其特征在于：所述面光源模组包括基板、高折射率透明波导层和大角度出光光源，

所述基板上表面设置有若干大角度出光光源，在基板上表面设置覆盖住所有大角度出光光源的高折射率透明波导层，所述高折射率透明波导层的高度等于或高于大角度出光光源的顶面高度；

所述高折射率透明波导层同时满足以下条件：

(1)所述高折射率透明波导层为单一介质且均匀分布的介质层，高折射率透明波导层的折射率记作n₂；所述基板为透明或半透明基板，基板的折射率记作n₄；所述基板与高折射率透明波导层共同形成复合波导层，且|n₄-n₂|≤0.2；

(2)限定复合波导层的上表面为上波导分界面，复合波导层的下表面为下波导分界面；限定位于上波导分界面上方的媒质为第一外媒质层，位于下波导分界面下方的媒质为第二外媒质层，第一外媒质层的折射率记作n₃₁，第二外媒质层的折射率记作n₃₂，n₃₁＜n₂，n₃₁＜n₄，n₃₂＜n₂，n₃₂＜n₄。

2.根据权利要求1所述的面光源模组，其特征在于：所述复合波导层上方或/和下方还设置有扩散膜层，且扩散膜层与复合波导层之间存在空气层或空气隙，所述空气层或空气隙在复合波导层上方时作为第一外媒质层，所述空气层或空气隙在复合波导层下方时作为第二外媒质层。

3.根据权利要求2所述的面光源模组，其特征在于：所述扩散膜层与复合波导层之间存在空气隙时，所述扩散膜层中靠近复合波导层的一侧表面具有凹凸不平的微结构，且所述微结构占所述扩散膜层总面积的10～100％；所述扩散膜层的微结构紧贴复合波导层表面形成空气隙。

4.根据权利要求2所述的面光源模组，其特征在于：所述基板与高折射率透明波导层之间或者高折射率透明波导层与扩散膜层之间或者基板与扩散膜层之间增设局部散射微结构。

5.根据权利要求1所述的面光源模组，其特征在于：所述基板为多个间隔设置的非连续式条状基板，且所述大角度出光光源对应设置在条状基板上。

6.根据权利要求1所述的面光源模组，其特征在于：所述大角度出光光源包括LED芯片，所述LED芯片为倒装结构，LED芯片包括自下而上依次设置的P-GaN层、发光层、N-GaN层和衬底，且在LED芯片的底面设置下反射层，在LED芯片的顶面及侧面设置有蓝光复激发层，蓝光复激发层的顶面设置上反射层，所述蓝光复激发层的四个侧面为全出光区，上反射层顶面为全反射或部分反射区。

7.根据权利要求6所述的面光源模组，其特征在于：所述LED芯片的顶面设置中反射层，且所述中反射层为部分出光部分反射结构。

8.根据权利要求6或7所述的面光源模组，其特征在于：所述蓝光复激发层的顶面和侧面设置有一层第一介质透明层，所述上反射层位于第一介质透明层的上表面。

9.根据权利要求6所述的面光源模组，其特征在于：所述大角度出光光源的制备方法包括如下步骤：

步骤S1:选取合格的LED芯片，LED芯片具有自下而上依次设置有下反射层、P-GaN层、发光层、N-GaN层和衬底；

步骤S2:将若干LED芯片等距排列，使得相邻LED芯片之间形成一可填充间隙，再整体在整个LED芯片表面以及可填充间隙内设置蓝光复激发层，并进行烘烤固化得到半成品；

步骤S3:在步骤S2得到的半成品顶面形成界面清晰的镜面状上反射层；

步骤S4：对顶面具有上反射层的半成品再次烘烤固化，而后进行切割、裂片，裂片后进行芯片测试、分选、重排，得到大角度出光光源。