[实用新型]一种用于晶硅电池背电极的网版

说明书

本实用新型公开了一种用于晶硅电池背电极的网版，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案，可以通过所设置的遮挡件中的镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积，相应地，则可以通过遮挡件中的遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积，因此，则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，进而可以提高P型晶硅电池的性能。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域，更具体地说，涉及一种用于晶硅电池背电极的网版。

背景技术

P型晶硅太阳能电池由于制备工艺成熟、电池转换效率高而被广泛应用在光伏行业中。其中，无论是P型单晶电池还是P型多晶电池，其常规铝背场结构还是以PERC(Passivated Emitter and Rear Cell，钝化发射极背面接触电池)为主。

目前，P型晶硅电池的背面电极主要通过以下方式来实现：在P型晶硅电池背面除整个主栅之外的区域印刷烧结铝层，然后，在整个主栅的位置印刷烧结银电极，以使银电极在电池的主栅位置处与P型硅片相接触，但由于该方式中银电极与P型硅片的接触面积比较大，而银电极又无法形成BSF(Back Surface Field，背电场)甚至会破坏钝化膜层，因此，这种实现方式会导致P型晶硅电池在银电极位置处产生比较大的性能损失，从而则会电池的性能产生影响。

综上所述，如何降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，从而提高P型晶硅电池的性能，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种用于晶硅电池背电极的网版，以借助该网版降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，从而提高P型晶硅电池的性能。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种用于晶硅电池背电极的网版，包括：

用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；

设置在所述网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，所述预设位置为与所述P型硅片的主栅相对应的位置；

所述遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，所述遮挡区域与使银浆和所述P型硅片直接相接触的区域相对应。

优选的，所述镂空区域包括多个子镂空区域。

优选的，所述子镂空区域呈阵列分布。

优选的，所述子镂空区域呈2×5阵列、3×5阵列、3×6阵列、3×7阵列、4×7阵列、4×8阵列中的任意一种阵列分布。

优选的，所述子镂空区域为圆点、椭圆、方形、三角形中的任意一种。

优选的，所述网版本体的尺寸与所述P型硅片的尺寸相等。

优选的，与所述P型硅片的每条主栅相对应的位置上分布有多个所述遮挡件，且多个所述遮挡件呈分段分布。

优选的，所述遮挡件为感光胶。

本实用新型提供了一种用于晶硅电池背电极的网版，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。