[实用新型]智能功率模块和空调器

说明书

本实用新型公开了一种智能功率模块和空调器，其中，智能功率模块包括：基板；设置在基板之上的控制芯片；设置在基板之上的逆变电路，逆变电路包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，第一GaN HEMT管的漏极与基板上的高压输入端相连，第一GaN HEMT管的源极与第二GaN HEMT管的漏极相连，第二GaN HEMT管的源极与基板上的低电压参考端相连，第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与控制芯片相连。本实用新型提出了一种空调器，包括前述的智能功率模块。

技术领域

本实用新型涉及家用电器技术领域，尤其涉及一种智能功率模块以及一种空调器。

背景技术

IPM(Intelligent Power Module，智能功率模块)是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，并以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电的一种理想电力电子器件。

相关技术中，IPM中电力电子器件常采用IGBT管，但是，相关技术存在的问题在于，由于IGBT管的栅极电荷较多，所以在使用过程中，其栅极需要连接电阻进行保护，另外，使用IGBT管还需外并联二极管FRD，从而导致电路复杂，成本升高。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本实用新型的第一个目的在于提出一种智能功率模块，将控制芯片和逆变电路集成设置在基板之上，不仅能够节省封装的成本，还能够减少裸露的电气连接点，同时在逆变电路中使用GaN HEMT管，还能够简化电路。

本实用新型的第二个目的在于提出一种空调器。

为达上述目的，本实用新型提出了一种智能功率模块，包括：基板；设置在所述基板之上的控制芯片；设置在所述基板之上的逆变电路，所述逆变电路包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，所述第一GaN HEMT管的漏极与所述基板上的高压输入端相连，所述第一GaN HEMT管的源极与所述第二GaN HEMT管的漏极相连，所述第二GaN HEMT管的源极与所述基板上的低电压参考端相连，所述第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与所述控制芯片相连。

根据本实用新型提出的智能功率模块，将控制芯片和逆变电路集成设置在基板之上，逆变电路包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，第一GaN HEMT管的漏极与基板上的高压输入端相连，第一GaN HEMT管的源极与第二GaNHEMT管的漏极相连，第二GaN HEMT管的源极与基板上的低电压参考端相连，第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与控制芯片相连。由此，本发明实施例的智能功率模块，将控制芯片和逆变电路集成设置在基板之上，不仅能够节省封装的成本，还能够减少裸露的电气连接点，同时在逆变电路中使用GaN HEMT管，不需外加并联二极管，另外，还由于GaN HEMT管的栅极电荷远少于IGBT管，所以其栅极不用连接电阻进行保护，进而可简化电路。

另外，本实用新型提出的智能功率模块还可以具有如下附加的技术特征：

进一步地，所述每组逆变模块还包括：第一电容，所述第一电容的一端与所述第一GaN HEMT管的漏极相连，所述第一电容的另一端与所述第二GaN HEMT管的源极相连。

进一步地，所述每组逆变模块还包括：第二电容，所述第二电容的一端与所述控制芯片的第一电平端相连并作为所述基板上的高压区供电电源正端，所述第二电容的另一端与所述第一GaN HEMT管的源极和所述第二GaN HEMT管的漏极均相连，所述第二电容的另一端还与所述控制芯片的第二电平端相连并作为所述基板上的高压区供电电源负端。