[实用新型]处理工具以及流导调节系统有效
申请号: | 201920616717.7 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN210110716U | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | A·恩古耶;Y·S·维舍瓦纳斯;X·常 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 工具 以及 调节 系统 | ||
1.一种处理工具,包括:
腔室主体,其中所述腔室主体是真空腔室;
吸盘,所述吸盘用于支撑所述腔室主体中的基板;
阴极衬里,所述阴极衬里环绕所述吸盘;和
流限制环,所述流限制环与所述阴极衬里对准,其中所述阴极衬里和所述流限制环在主处理容积与所述真空腔室的外围容积之间限定开口。
2.如权利要求1所述的处理工具,其中所述阴极衬里是可移位的,并且其中使所述阴极衬里移位改变所述开口的几何形状。
3.如权利要求2所述的处理工具,其中所述阴极衬里耦接到所述吸盘,并且其中所述阴极衬里和所述吸盘同时移位。
4.如权利要求2所述的处理工具,其中所述流限制环耦接到腔室盖。
5.如权利要求4所述的处理工具,其中所述流限制环接地。
6.如权利要求4所述的处理工具,其中所述流限制环不接地。
7.如权利要求1所述的处理工具,其中所述流限制环是可移位的,并且其中使所述流限制环移位改变所述开口的几何形状。
8.如权利要求7所述的处理工具,其中所述限制环由位于所述真空腔室外部的致动器移位。
9.如权利要求1所述的处理工具,其中所述流限制环和所述阴极衬里是可移位的,并且其中使所述流限制环或所述阴极衬里移位改变所述开口的几何形状。
10.一种流导调节系统,包括:
阴极衬里;和
流限制环,其中所述阴极衬里和所述流限制环相对于彼此是能够机械地移位的。
11.如权利要求10所述的流导调节系统,其中所述流限制环耦接到腔室的盖,并且其中所述阴极衬里耦接到所述腔室中的吸盘。
12.如权利要求10所述的流导调节系统,其中所述流限制环的内径大于所述阴极衬里的外径。
13.如权利要求10所述的流导调节系统,其中所述阴极衬里包括凹口,所述凹口的尺寸设计成接收所述流限制环。
14.如权利要求10所述的流导调节系统,其中所述阴极衬里包括挡板。
15.如权利要求10所述的流导调节系统,其中所述流限制环包括突出构件,并且其中所述阴极衬里包括凹陷,所述凹陷的尺寸设计成接收所述流限制环的所述突出构件。
16.如权利要求10所述的流导调节系统,其中所述流限制环和所述阴极衬里具有互补表面。
17.如权利要求10所述的流导调节系统,其中所述流限制环包括具有不同尺寸的多个狭槽。
18.一种处理工具,包括:
腔室主体,其中所述腔室主体是真空腔室;
吸盘,所述吸盘用于支撑所述腔室主体中的基板;
阴极衬里,所述阴极衬里围绕所述吸盘,其中所述阴极衬里和所述吸盘能够竖直地移位;和
流限制环,所述流限制环与所述阴极衬里对准,其中通过使所述阴极衬里在竖直方向上移位来改变所述真空腔室中的流导。
19.如权利要求18所述的处理工具,其中将所述阴极衬里从第一位置移位到第二位置造成所述真空腔室中的至少50mT的压力变化。
20.如权利要求19所述的处理工具,其中所述压力变化在约三秒或更短的时间内稳定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造