[实用新型]基于SiC功率器件的双脉冲MIG焊接电源有效

专利信息
申请号: 201920616962.8 申请日: 2019-04-30
公开(公告)号: CN210080918U 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 王振民;钟启明;谢芳祥;范文艳;罗卓 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: B23K9/10 分类号: B23K9/10
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 霍健兰;梁莹
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 sic 功率 器件 脉冲 mig 焊接 电源
【权利要求书】:

1.一种基于SiC功率器件的双脉冲MIG焊接电源,其特征在于:包括主电路和数字控制电路;所述主电路包括依次连接的工频整流滤波模块、SiC高频逆变模块一、高频变压器一以及SiC快速全波整流滤波模块一;其中工频整流滤波模块与三相交流电源连接,SiC快速全波整流滤波模块一与负载连接;

所述数字控制电路包括数字化人机交互模块、核心控制模块、SiC高频驱动模块、负载电压电流检测反馈模块和送丝控制模块;所述数字化人机交互模块与核心控制模块连接;SiC高频驱动模块的一端与核心控制模块的PWM输出端连接,另一端与所述SiC高频逆变模块一连接;负载电压电流检测反馈模块的一端与负载连接,另一端与核心控制模块的A/D转换端连接;所述送丝控制模块的一端与核心控制模块相连,另一端与送丝机直流电机相连。

2.根据权利要求1所述的基于SiC功率器件的双脉冲MIG焊接电源,其特征在于:所述SiC高频逆变模块一包括SiC功率开关管Q1、SiC功率开关管Q2、SiC功率开关管Q3和SiC功率开关管Q4;SiC功率开关管Q1、SiC功率开关管Q2、SiC功率开关管Q3和SiC功率开关管Q4分别并联有RC吸收电路一;SiC功率开关管Q1、SiC功率开关管Q2、SiC功率开关管Q3和SiC功率开关管Q4组成全桥逆变电路,之后通过隔直电容Cb与高频变压器一的初级连接;

所述SiC快速全波整流滤波模块一包括SiC肖特基二极管组DR1和SiC肖特基二极管组DR2;高频变压器一的次级输出端一通过依次连接的SiC肖特基二极管组DR1和SiC肖特基二极管组DR2与高频变压器一的次级输出端三连接;SiC肖特基二极管组DR1和SiC肖特基二极管组DR2的连接处与负载的一端连接,高频变压器一的次级输出端二通过输出滤波电抗Lr与负载的另一端连接。

3.根据权利要求2所述的基于SiC功率器件的双脉冲MIG焊接电源,其特征在于:所述SiC肖特基二极管组DR1和SiC肖特基二极管组DR2均是由三个SiC肖特基二极管及RC吸收电路二并联组成。

4.根据权利要求2所述的基于SiC功率器件的双脉冲MIG焊接电源,其特征在于:所述主电路还包括依次连接的SiC高频逆变模块二、高频变压器二以及SiC快速全波整流滤波模块二;其中,SiC高频逆变模块二与工频整流滤波模块连接,SiC快速全波整流滤波模块二与负载连接;SiC高频驱动模块的另一端还与SiC高频逆变模块二连接;SiC高频逆变模块二的拓扑结构与SiC高频逆变模块一相同;高频变压器二的拓扑结构与高频变压器一相同;SiC快速全波整流滤波模块二的拓扑结构与SiC快速全波整流滤波模块二相同。

5.根据权利要求1所述的基于SiC功率器件的双脉冲MIG焊接电源,其特征在于:所述送丝控制模块包括:送丝控制芯片、CAN通信电路、H桥驱动电路和直流电机电压反馈电路;

所述送丝控制芯片通过CAN通信电路与核心控制模块信号连接,以实现送丝控制芯片与核心控制模块通信;所述送丝控制芯片通过H桥驱动电路与送丝机直流电机连接,以驱动送丝机直流电机工作;所述直流电机电压反馈电路用于实时检测送丝机直流电机电压;直流电机电压反馈电路与送丝控制芯片连接,以实现送丝机直流电机闭环控制。

6.根据权利要求5所述的基于SiC功率器件的双脉冲MIG焊接电源,其特征在于:所述H桥驱动电路包括开关管Qf1、开关管Qf2、开关管Qf3、开关管Qf4、刹车电阻BRK1和继电器JD1;所述开关管Qf1、开关管Qf2、开关管Qf3和开关管Qf4构成H桥拓扑;H桥拓扑的输出端与送丝机直流电机连接;刹车电阻BRK1和继电器JD1串联后,并联在H桥拓扑的输出端。

7.根据权利要求2所述的基于SiC功率器件的双脉冲MIG焊接电源,其特征在于:所述核心控制模块是指高速DSC核心控制模块。

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