[实用新型]智能功率模块和空调器

权利要求书

1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：

IGBT逆变桥上桥臂信号输入端、IGBT逆变桥下桥臂信号输入端、MOS逆变桥上桥臂信号输入端、MOS逆变桥下桥臂信号输入端；

IGBT逆变桥和用于驱动所述IGBT逆变桥工作的HVIC管，所述HVIC管上设置有分别连接至所述IGBT逆变桥上桥臂信号输入端、所述IGBT逆变桥下桥臂信号输入端和所述IGBT逆变桥控制端的接线端，所述HVIC管的供电端和接地端分别连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端和负端，其中，所述HVIC管内具有供电电路，所述供电电路具有电源输出端；

智能功率芯片，所述智能功率芯片内集成有MOS逆变桥和用于驱动所述逆变桥的驱动器，所述智能功率芯片上设置有分别连接至所述MOS逆变桥上桥臂信号输入端、所述MOS逆变桥下桥臂信号输入端的接线端，且该接线端与所述驱动器的输入端相连，所述驱动器的输出端与所述MOS逆变桥控制端相连，所述智能功率芯片的供电端和接地端分别连接至所述电源输出端和所述智能功率模块的低压区供电电源负端，其中，所述供电电路用于产生供所述智能功率芯片工作的电压。

2.如权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述HVIC管内集成有：

第一驱动电路，所述第一驱动电路的输入端作为所述连接至与所述IGBT逆变桥上桥臂信号输入端、所述IGBT逆变桥下桥臂信号输入端的接线端，输出端作为所述连接至IGBT逆变桥控制端的接线端；

第一自举电路，所述第一自举电路包括至少一个第一自举二极管，每个第一自举二极管的阳极与所述HVIC管的供电端相连，阴极作为所述智能功率模块的一个第一高压区供电正端。

3.如权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率芯片内还集成有：

第二自举电路，所述第二自举电路包括至少一个第二自举二极管，每个第二自举二极管的阳极与所述智能功率芯片的供电端相连，阴极作为所述智能功率模块的一个第二高压区供电正端。

4.如权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：

与所述至少一个第一自举二极管一一对应的第一自举电容，每个第一自举电容的一端与对应的第一自举二极管的阴极相连，另一端与对应的所述智能功率模块的一个第一高压区供电负端相连。

5.如权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率芯片内还集成有：

与所述至少一个第二自举二极管一一对应的第二自举电容，每个第二自举电容的一端与对应的第二自举二极管的阴极相连，另一端与对应的所述智能功率模块的一个第二高压区供电负端相连。

6.如权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，第一自举二极管和第二自举二极管的数量均为三个。

7.如权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述IGBT逆变桥包括第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管、第四IGBT管、第五IGBT管、第六IGBT管，所述第一IGBT管、所述第二IGBT管、所述第三IGBT管组成U相上桥臂、V相上桥臂、W相上桥臂，所述第四IGBT管、所述第五IGBT管、所述第六IGBT管组成U相下桥臂、V相下桥臂、W相下桥臂。

8.如权利要求7所述的智能功率模块，其特征在于，所述IGBT逆变桥还包括对应所述第一IGBT管、所述第二IGBT管、所述第三IGBT管、所述第四IGBT管、所述第五IGBT管、所述第六IGBT管的第一反并联二极管、第二反并联二极管、第三反并联二极管、第四反并联二极管、第五反并联二极管、第六反并联二极管。

9.如权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块用于空调器，所述IGBT逆变桥与所述空调器的压机模块相连，用于控制所述空调器的压机模块工作，所述MOS逆变桥与所述空调器的风机模块相连，用于控制所述空调器的风机模块工作。

10.一种空调器，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的智能功率模块。