[实用新型]一种IGBT模块与励磁板的固定结构有效
申请号: | 201920627777.9 | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN209593218U | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 庞瑞 | 申请(专利权)人: | 苏州达思灵电机有限公司 |
主分类号: | H02K11/33 | 分类号: | H02K11/33 |
代理公司: | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人: | 关家强 |
地址: | 215100 江苏省苏州市相*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单管 压条 励磁板 左凸台 本实用新型 电机壳体 固定结构 压紧螺丝 右凸台 压紧 并列排列 电机运行 压力均匀 有效解决 整体受力 断裂的 下表面 晃动 引脚 配合 保证 | ||
本实用新型提出了一种IGBT模块与励磁板的固定结构,包括励磁板、IGBT模块和电机壳体,所述IGBT模块包括多个并列排列的IGBT单管,相邻的两个IGBT单管上方设置有压条。本实用新型通过在IGBT模块上方设置压条,并配合压紧螺丝将IGBT模块压紧在电机壳体上,避免其在电机运行时发生晃动;同时,通过在压条下表面设置左凸台和右凸台,使得压紧螺丝的压力均匀分布在左凸台和右凸台上,且左凸台和右凸台分别压紧在IGBT单管的中心或者中心偏外侧的位置,使得IGBT单管整体受力均匀,进一步保证了IGBT的稳定性,有效解决了IGBT模块引脚易断裂的问题。
技术领域
本实用新型涉及电机领域,尤其是涉及一种IGBT模块与励磁板的固定结构。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,由于其兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,被广泛应用于交流电机、变频器、开关电源以及牵引传动领域。
IGBT模块在工作时发热量较大,为保证IGBT模块的正常使用,通常将IGBT模块固定在金属壳体上以解决其散热问题;在电机制造领域,通常将IGBT模块的引脚首先焊接到励磁PCB板上,然后将IGBT模块直接用螺钉固定在电机壳体上,在电机运行过程中不可避免的产生振动,长期的振动,很容易导致IGBT模块与励磁板的焊接引脚因疲劳而断裂。
发明内容
为解决上述问题,本实用新型提出了一种IGBT模块与励磁板的固定结构。
本实用新型的主要内容包括:
一种IGBT模块与励磁板的固定结构,包括励磁板、IGBT模块和电机壳体,所述IGBT模块包括多个并列排列的IGBT单管,所述励磁板与所述电机壳体固定连接,单个所述IGBT单管的引脚焊接在所述励磁板上,所述电机壳体上开设有安装凹槽,多个所述IGBT单管设置在所述安装凹槽内;相邻的两个所述IGBT单管为一组,每组的两个所述IGBT单管上方横跨设置有压条;所述压条包括压条本体,所述压条本体的中心开设有安装螺纹孔,所述安装螺纹孔内配置有压紧螺丝,所述压紧螺丝与每组的两个所述IGBT单管之间的所述电机壳体螺纹连接;所述压条本体的下表面由左到右依次设置有左凸台、中心凹槽以及右凸台,所述左凸台和所述右凸台分别压合在每组的两个所述IGBT单管上方,且所述左凸台压合在左侧的IGBT单管的中部或者中部偏左侧;所述右凸台压合在右侧的IGBT单管的中部或者中部偏右侧。
优选的,所述压条本体的上表面的两个长边向上延伸有加固翻边。
优选的,所述加固翻边与所述压条本体相互垂直或者所述加固翻边与所述压条本体之间的夹角为锐角。
优选的,还包括导热层,所述导热层铺设在所述安装凹槽内,且位于所述电机壳体与所述IGBT单管之间。
优选的,所述导热层的数量为一个或者多个。
优选的,所述导热层为导热矽胶布。
优选的,所述励磁板上开设有让位通孔,让位通孔与所述压紧螺丝的头部相对应,且所述让位通孔的孔径大于所述压紧螺丝的头部的宽度。
本实用新型的有益效果在于:本实用新型提出了一种IGBT模块与励磁板的固定结构,通过在IGBT模块上方设置压条,并配合压紧螺丝将IGBT模块压紧在电机壳体上,避免其在电机运行时发生晃动;同时,通过在压条下表面设置左凸台和右凸台,使得压紧螺丝的压力均匀分布在左凸台和右凸台上,且左凸台和右凸台分别压紧在IGBT单管的中心或者中心偏外侧的位置,使得IGBT单管整体受力均匀,进一步保证了IGBT的稳定性,有效解决了IGBT模块引脚易断裂的问题。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图;
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