[实用新型]一种用于外延生长的反应装置

权利要求书

1.一种用于外延生长的反应装置，包括石英腔与感应线圈；其特征在于，还包括反应腔与进气装置；

所述感应线圈设于石英腔的正上方与正下方；

所述反应腔设于石英腔内，为由顶部的上半月形保温片、底部的下半月形保温片左右两侧的上游保温盖与下游保温盖以及前后侧的保温片组成的立方形腔体结构；

所述反应腔内对称设有通过两侧的支撑板相连的上半月加热座与下半月加热座，上半月加热座与下半月加热座为包括弧面与平面的两侧开口的中空半月结构，且二者间存在间隙；气浮托盘底部通过托盘中心柱固设于下半月加热座平面上端面中心，气浮托盘能绕着托盘中心柱旋转，气浮托盘上设有硅片托盘；下半月加热座平面下端面设有一单侧开口的气道，气道开口处有锥度并靠近上游保温盖，且上游保温盖在靠近气道开口处设有与气道连通的通孔，通孔外端设有气浮气嘴；

所述上游保温盖在正对上半月加热座开口端、下半月加热座开口端及二者间隙处设有三个有一定间距的通孔，下游保温盖在对应位置也设有三个通孔；

所述进气装置包括回填气嘴、第一导流接口与第二导流接口；所述第一导流接口设于上游保温盖位于中间位置的通孔内，所述回填气嘴有两个，分设于上游保温盖另外的通孔内。

2.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述上半月加热座平面下端面上设有两个自下端面左侧延伸至中部的条形孔。

3.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述下半月加热座平面上端面中间有一圆形凹坑，直径与气浮托盘直径相同；凹坑底面设有两个关于中心对称并存在夹角的出气孔，出气孔与所述气道连通。

4.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述上半月形保温片与下半月形保温片均为瓦状结构，外形贴合上半月加热座与下半月加热座的外圆；上半月形保温片与下半月形保温片圆弧两端面具有内凹的台阶。

5.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述下半月加热座平面上端面左侧对称设有上游左盖板和上游右盖板，右侧设有下游盖板；上游左盖板右下方、上游右盖板右上方、下游盖板左侧均设有圆弧缺口，用于卡嵌硅片托盘外缘；下游盖板两侧设有左导向盖板和右导向盖板，板面高度低于硅片托盘。

6.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述气浮托盘上表面布有凹坑；下表面绕中心均布多条条状凹槽，凹槽呈螺旋状排布；凹槽的宽度从靠近气浮托盘外缘端至另一端均匀递减，凹槽的深度从靠近气浮托盘外缘端至另一端均匀递减递增。

7.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述回填气嘴外接回填外接气嘴；所述第一导流接口外接有第二导流接口。

8.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述硅片托盘上表面具有凹坑，凹坑形状与硅片形状一致，下表面具有凸台，并设计有锥度，与气浮托盘凹坑的锥度吻合。

9.根据权利要求1或5所述的反应装置，其特征在于，所述下游盖板右侧具有长条状的凸台，凸台从下游保温盖中间的通孔延伸至反应腔外，用于作为限制机械手运动范围的基准位。

10.根据权利要求1或5所述的反应装置，其特征在于，所述上游保温盖与下游保温盖内侧端部设有圆台结构，圆台结构与上半月形保温片和下半月形保温片端部的台阶相扣。