[实用新型]一种高耐温度循环的IGBT模块

说明书

本实用新型公开了一种高耐温度循环的IGBT模块，包括散热铜板、设置于所述散热铜板上的陶瓷覆铜板、贴装于所述陶瓷覆铜板上的IGBT、与所述陶瓷覆铜板连接的信号端子和功率端子、以及壳体；所述信号端子采用相邻两个信号端子并联的方式进行注塑配合，通过注塑工艺与所述壳体形成一体，其下端通过超声波焊接工艺与所述陶瓷覆铜板连接，其上端连接外部电气系统；所述功率端子采用对称式分支结构，两个支脚向内凹陷形成一定弧度；所述信号端子和所述功率端子通过冲压、折弯机械工艺成形。本实用新型提高了IGBT模块信号端子的实用性，提高了IGBT模块的功率循环次数和高温度承受能力，提高了功率端子和信号端子的焊接效率，简化了结构及制造工艺。

技术领域

本实用新型涉及功率半导体器件技术领域，尤其是一种高耐温度循环的IGBT模块。

背景技术

目前，IGBT模块在功率电子电路中的应用较为广泛，并且通常在采用半导体封装。IGBT半导体封装技术包含材料选择、结构设计、工艺设计、封装工艺等问题，把芯片通过校核计算且较为美观地匀称布局封装成模块。封装工艺需要考虑器件的电流平衡、芯片散热和工艺工序的简化等。现有的大功率半导体器件，端子承载能力和高耐温度循环性能是有待提高的。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供一种高耐温度循环的IGBT模块，通过增大端子的承载能力，提升整体高耐温度循环性能，提升IGBT模块应用的广泛性和实用性。

本实用新型保护一种高耐温度循环的IGBT模块，包括散热铜板、设置于所述散热铜板上的陶瓷覆铜板、贴装于所述陶瓷覆铜板上的IGBT、与所述陶瓷覆铜板连接的信号端子和功率端子、以及壳体；所述信号端子采用相邻两个信号端子并联的方式进行注塑配合，通过注塑工艺与所述壳体形成一体，其下端通过超声波焊接工艺与所述陶瓷覆铜板连接，其上端连接外部电气系统；所述功率端子采用对称式分支结构，两个支脚向内凹陷形成一定弧度；所述信号端子和所述功率端子通过冲压、折弯机械工艺成形。

进一步的，所述信号端子和所述功率端子由铜材质制成，表面进行镀铝、镀银或镀镍处理；由相互垂直的立板和底板构成，所述立板设有弯折部，整体呈Z字形；所述立板高25.3mm，所述底板长12.9mm、宽2mm。

进一步的，所述功率端子由倒U形主体和两侧支脚构成，总高26.6mm；所述倒U形主体宽14mm、两侧相距20.4mm，所述支脚与所述陶瓷覆铜板连接处宽度为3.5mm。

进一步的，所述壳体包括外壳体和塞块，所述塞块塞入所述功率端子两支脚之间的空隙。

本实用新型的有益效果：提高了IGBT模块信号端子的实用性，对功率循环次数和温度的承受能力，提高了功率端子和信号端子的焊接效率，简化了结构及制造工艺。

附图说明

图1为IGBT模块封装爆炸图；

图2为信号端子与陶瓷覆铜板的连接示意图；

图3为相邻信号端子并行连接图；

图4为功率端子结构示意图；

图5为IGBT模块封装结构图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。本实用新型的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本实用新型限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本实用新型的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本实用新型从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。

实施例1