[实用新型]一种发光二极管

说明书

本实用新型提供了一种发光二极管，通过所述多功能层的电流阻挡区、通孔及其排列规律的设置，首先、具有斜侧壁的通孔结合所述金属反射镜使得出光角度明显提高；其次、所述金属反射镜通过所述通孔与第二导电层形成欧姆接触，所述通孔的排列规律：沿所述电流阻挡区边缘向多功能层外围的延伸方向上，所述通孔的底面面积逐渐增大或通孔的布设逐渐密集，能有效引导电流的传导；然后、所述第一电极和所述电流阻挡区在垂直于所述衬底的方向上，同心设置，使得第一电极的电流效果达到最佳，获得更高的发光效率。

技术领域

本实用新型属于半导体照明领域，特别涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等优点，作为主要的光源得到较快发展。经过近些年发光二极管的利用领域迅速扩展，而提高发光二极管的亮度及功率成为其关键因素。

然而，传统的倒置芯片结构还是存在一些问题：如从芯片表面逃逸的光的出光角度受限，且倒置芯片结构是基于垂直芯片结构，其顶部中间设置有焊台电极，存在较大的挡光面积。为减少焊台电极的遮光，现有技术中最常见的方法是采用在电极底下区域设置一个电流阻挡区域(介质层)，阻挡焊台电极正下方电流的传输能力，藉此提高非焊台电极区域的电流密度而增加有源层的发光能力，降低焊台电极挡光的问题。但由于采用介质层绝缘，介质层属于氧化物，这些氧化物层的存在，妨碍了半导体和金属层之间均匀的相互作用。

有鉴于此，本发明人专门设计了一种发光二极管，本案由此产生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种发光二极管，为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种发光二极管包括：

一导电基板，其具有正、反两表面；

一发光结构，其通过金属键合层倒装焊接于所述导电基板的正面上；所述发光结构包括在衬底表面依次堆叠的第一导电层、有源层、第二导电层、多功能层、金属反射镜；所述多功能层内设有一电流阻挡区及若干具有斜侧壁的通孔，各所述通孔环绕布设于所述电流阻挡区外围，且显露所述第二导电层的部分表面；所述多功能层的表面及所述通孔侧壁沉积所述金属反射镜；所述金属键合层用于粘接所述金属反射镜和导电基板；

层叠于所述导电基板反面的第二电极；

层叠于所述第一导电层背离所述有源层一侧的第一电极；所述第一电极和所述电流阻挡区，在垂直于所述衬底的方向上，同心设置。

优选地，沿所述电流阻挡区边缘向多功能层外围的延伸方向上，所述通孔的底面面积逐渐增大或所述通孔的布设逐渐密集。

优选地，所述电流阻挡区的面积大于所述第一电极的焊台面积。

优选地，各所述通孔的斜侧壁与所述第二导电层表面的夹角为15-50度，包括端点值。

优选地，所述多功能层的材料体系包括不同于所述第二导电层的材料体系。

优选地，所述第一导电层的材料体系包括掺Si的AlGaInP，所述有源层包括AlGaInP/AlGaInP多量子阱结构，第二导电层的材料体系包括掺Mg的AlGaInP，所述多功能层的材料体系包括未掺杂的砷化物。

优选地，所述多功能层的材料体系包括未掺杂的AlGaAs。

优选地，所述多功能层的厚度为D1，所述第二导电层的厚度为D2，D2≤D1≤3*D2。

一种发光二极管的制作方法，用于制备如上所述的发光二极管，所述制作方法包括以下步骤：