[实用新型]干燥装置及基板处理装置有效
申请号: | 201920657660.5 | 申请日: | 2019-05-08 |
公开(公告)号: | CN210349782U | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 稻田尊士;平山司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 干燥 装置 处理 | ||
本实用新型提供一种干燥装置,其使用干燥蒸气可以将被处理体良好干燥。根据本实用新型的干燥装置,在处理槽内部设置气体喷出口,并且连通连结有干燥蒸气供给机构,所述干燥蒸气供给机构将使药液气化所得的干燥蒸气与载流气体一起从所述气体喷出口向被处理体进行供给,所述干燥装置的特征在于:所述干燥蒸气供给机构通过气体供给管将所述载流气体的供给源和所述气体喷出口连通连结,并且在所述气体供给管的中途部配设用来使作为所述干燥蒸气的原料的所述药液进行气化的加热单元,在比所述加热单元更上游侧的所述气体供给管的中途部经由药液供给管连通连结所述药液的供给源,并在所述药液供给管的中途部设置有间歇地供给所述药液的间歇供给机构。
技术领域
本实用新型涉及一种用来对半导体晶圆或液晶基板等的被处理体进行干燥 处理的干燥装置及基板处理装置。
背景技术
以往,在半导体零件或平板显示器等的制造过程中,设有对清洗处理后的半 导体晶圆或液晶基板等的被处理体进行干燥处理的干燥工序。作为该干燥工序所 使用的处理装置,公知有内藏下述干燥装置的装置:将用来干燥被处理体的干燥 蒸气(IPA气体:异丙醇的蒸气等)和载流气体(氮气等)同时供给到处理槽,在处理 槽的内部,使干燥蒸气接触被处理体的表面来进行被处理体的干燥。(参照专利 文献1)
在以往的干燥装置中,形成为:在处理槽配设有干燥蒸气供给喷嘴,并且该 干燥蒸气供给喷嘴经由混合器连结有干燥蒸气的供给源和载流气体的供给源,通 过从干燥蒸气供给喷嘴同时向处理槽的内部连续供给干燥蒸气和载流气体,从而 在处理槽的内部使干燥蒸气接触被处理体的表面,来进行使被处理体的干燥处 理。
专利文献1:日本特开平11-186212
实用新型内容
然而,在上述已知的干燥装置中,同时连续地向处理槽的内部供给干燥蒸气 和载流气体,因此气化了的高温的干燥蒸气维持高浓度的状态连续地喷射到被处 理体的表面。
其结果,由于高温、高压的干燥蒸气连续地喷射到被处理体的表面,因此存 在在被处理体的表面产生干燥蒸气的凝结的可能,存在污染被处理体表面的可能 性。
特别是在使用晶圆作为被处理体时,因晶圆搬运时的装夹而附着在晶圆外围 部的未使用区域的污染物质(颗粒或金属或有机杂质等)会与凝结后的干燥蒸气一 起流入晶圆的内围部的使用区域,存在污染物质附着在晶圆的可能性。
因此,本实用新型的干燥装置,在处理槽内部设置气体喷出口,并且连通连 结有干燥蒸气供给机构,所述干燥蒸气供给机构将使药液气化所得的干燥蒸气与 载流气体一起从所述气体喷出口向被处理体进行供给,所述干燥装置的特征在 于:所述干燥蒸气供给机构通过气体供给管将所述载流气体的供给源和所述气体 喷出口连通连结,并且在所述气体供给管的中途部配设用来使作为所述干燥蒸气 的原料的所述药液进行气化的加热单元,在比所述加热单元更上游侧的所述气体 供给管的中途部经由药液供给管连通连结所述药液的供给源,并在所述药液供给 管的中途部设置有间歇地供给所述药液的间歇供给机构。
进一步地,本实用新型的干燥装置,所述干燥蒸气供给机构构成为:交替地 多次进行所述载流气体和所述干燥蒸气的混合流体的供给以及仅所述载流气体 的供给,使所述混合流体的供给时间为整体的供给时间的57%以上且83%以下。
进一步地,本实用新型的干燥装置,所述干燥蒸气供给机构构成为:使所述 混合流体的供给时间为整体的供给时间的75%以上。
进一步地,本实用新型的干燥装置,其特征在于,所述干燥蒸气供给机构构 成为:通过使所述干燥蒸气间歇地混入所述载流气体来交替地进行所述载流气体 和所述干燥蒸气的混合流体的供给以及仅所述载流气体的供给。
进一步地,本实用新型的干燥装置,在比所述气体供给管与所述药液供给管 的连结部分更上游侧的所述气体供给管配设有用来预先加热所述载流气体的预 热单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造