[实用新型]一种红外探测芯片

权利要求书

1.一种红外探测芯片，其特征在于：所述芯片包括基层和设置在所述基层上红外线探测层，所述红外线探测层包括用于吸收红外线的热敏材料层，其中，所述热敏材料层为氧化镍铬热敏层。

2.根据权利要求1所述的红外探测芯片，其特征在于：所述红外线探测层还包括绝缘支撑层和导电电极，所述导电电极贯穿所述绝缘支撑层设置，所述氧化镍铬热敏层覆盖所述绝缘支撑层和所述导电电极设置。

3.根据权利要求2所述的红外探测芯片，其特征在于：所述氧化镍铬热敏层厚度为20nm-300nm。

4.根据权利要求3所述的红外探测芯片，其特征在于：所述氧化镍铬热敏层表面设有钝化层，所述钝化层设置在所述氧化镍铬热敏层远离所述绝缘支撑层的一侧。

5.根据权利要求4所述的红外探测芯片，其特征在于：所述钝化层包括氮化硅层和二氧化硅层，所述氮化硅层设置在所述氧化镍铬热敏层的表面，所述二氧化硅层设置在所述氮化硅层表面。

6.根据权利要求5所述的红外探测芯片，其特征在于：所述氮化硅层厚度为50nm-500nm，所述二氧化硅层厚度为50nm-500nm。

7.根据权利要求2所述的红外探测芯片，其特征在于：所述基层包括读出电路和金属反射层，所述读出电路上设有接触电极，所述导电电极与所述接触电极连通；所述金属反射层设置在所述读出电路层的表面，所述金属反射层与所述接触电极不相接。

8.根据权利要求7所述的红外探测芯片，其特征在于：所述金属反射层材料为金或铝，所述金属反射层厚度为50nm-300nm。

9.根据权利要求8所述的红外探测芯片，其特征在于：所述绝缘支撑层远离所述氧化镍铬热敏层的一侧设有凸起，所述凸起与所述接触电极相接；和/或，

所述导电电极贯穿所述凸起设置。

10.根据权利要求9所述的红外探测芯片，其特征在于：所述凸起的高度为0.5μm-2μm。