[实用新型]纳米线栅结构和荧光各向异性增强装置有效
| 申请号： | 201920672709.4 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN210072117U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 韩春蕊;齐月静;王宇;叶剑挺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米线栅 荧光 荧光增强 调制 表面等离激元 本实用新型 结构参数 平行排布 条状结构 线栅宽度 线栅周期 荧光材料 荧光信号 增强装置 周期控制 自发辐射 场增强 超材料 局域场 共振 超强 光场 偏振 线宽 线栅 小模 | ||
1.一种纳米线栅结构，其特征在于，所述纳米线栅结构为多个条状结构线栅平行排布形成，且其结构参数为：线栅周期300-800纳米，线栅宽度50-400纳米。
2.根据权利要求1所述的纳米线栅结构，其特征在于，所述多个条状结构线栅厚度为40-60纳米。
3.根据权利要求1所述的纳米线栅结构，其特征在于，所述多个条状结构线栅的材料为金属纳米结构超材料，且所述金属纳米结构超材料为金、银或铝材料。
4.一种荧光各向异性增强装置，其特征在于，包括自下而上依次设置的高导电衬底(1)、绝缘层(2)、荧光层(3)、透光介质层(4)和纳米线栅结构(5)，并且所述纳米线栅结构(5)为权利要求1-2任一项所述的纳米线栅结构。
5.根据权利要求4所述的荧光各向异性增强装置，其特征在于，所述高导电衬底(1)为金属或者高掺杂硅衬底。
6.根据权利要求4所述的荧光各向异性增强装置，其特征在于，所述绝缘层(2)为二氧化硅层。
7.根据权利要求4所述的荧光各向异性增强装置，其特征在于，所述荧光层(3)为单层二维半导体。
8.根据权利要求7所述的荧光各向异性增强装置，其特征在于，所述单层二维半导体为过渡金属硫族化合物原子层，所述过渡金属硫族化合物表示为MX2，其中M＝Mo或W；X＝S、Se、Te；所述单层二维半导体厚度为0-0.6纳米。
9.根据权利要求4所述的荧光各向异性增强装置，其特征在于，所述透光介质层(4)为三氧化二铝或二氧化硅层，厚度为10-40纳米。
10.根据权利要求4所述的荧光各向异性增强装置，其特征在于，所述荧光层(3)为有机荧光染料层；所述透光介质层(4)为聚甲基丙烯酸甲酯层。
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