[实用新型]一种快速响应的低成本IGBT过流保护装置有效
申请号: | 201920676271.7 | 申请日: | 2019-05-13 |
公开(公告)号: | CN209786775U | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 贾飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市威控特电气有限公司 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08 |
代理公司: | 61254 西安中科汇知识产权代理有限公司 | 代理人: | 汪重庆 |
地址: | 518108 广东省深圳市宝安区石岩*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保险丝 本实用新型 灭弧机构 快速响应 异常电流 熔断 过流保护技术 过流保护装置 大阻值电阻 并联设有 断路保护 固定设置 绝缘保护 空腔内部 输出端子 输入端子 外壳内壁 外壳内部 低成本 主线 并联 灭弧 串联 检测 | ||
本实用新型公开了一种快速响应的低成本IGBT过流保护装置,具体涉及IGBT过流保护技术领域,包括外壳,所述外壳一侧设有输入端子,所述外壳另一侧设有输出端子,所述外壳内部设有空腔,所述空腔内部设有过流检测机构,所述过流检测机构顶部设有灭弧机构,所述灭弧机构固定设置在外壳内壁顶部;所述过流检测机构包括主线,所述主线上串联设有三个保险丝,三个所述保险丝相互并联,三个所述保险丝底部并联设有大阻值电阻。本实用新型通过过流检测机构对异常电流进行检测和断路保护,再通过灭弧机构对熔断点进行灭弧和绝缘保护,整体使得本实用新型能够对异常电流进行快速响应,并且成本较低,扩大了使用范围,实用性较强。
技术领域
本实用新型涉及IGBT过流保护技术领域,更具体地说,本实用新型涉及一种快速响应的低成本IGBT过流保护装置。
背景技术
IGBT,即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
专利申请公布号CN 207354240 U的实用新型专利公开了一种IGBT过流保护电路,该IGBT过流保护电路包括:数字处理电路、电压检测电路及多个模拟比较触发电路;多个模拟比较触发电路的过流反馈输出端均连接至数字处理电路的过流反馈输入端,阈值控制输入端连接至数字处理电路的数字控制输出端;电压检测电路采集IGBT上的饱和压降,并将饱和压降分别输入至多个模拟比较触发电路;每一模拟比较触发电路设置一过流保护阈值,数字处理电路根据多个模拟比较触发电路反馈的过流反馈触发状况,延迟对应时长向IGBT驱动控制电路发送IGBT关断指令。该实用新型可以保护过流回路电感值较小的硬短路及过流回路电感值较大的软短路。并且针对不同IGBT的过流保护等级可调、自由灵活。
但是其在实际使用时,仍旧存在较多缺点,如该技术方案的成本较高,从而缩小了其使用范围。
实用新型内容
为了克服现有技术的上述缺陷,本实用新型的实施例提供一种快速响应的低成本IGBT过流保护装置,通过过流检测机构对异常电流进行检测和断路保护,再通过灭弧机构对熔断点进行灭弧和绝缘保护,整体使得本实用新型能够对异常电流进行快速响应,并且成本较低,扩大了使用范围,实用性较强,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种快速响应的低成本IGBT过流保护装置,包括外壳,所述外壳一侧设有输入端子,所述外壳另一侧设有输出端子,所述外壳内部设有空腔,所述空腔内部设有过流检测机构,所述过流检测机构顶部设有灭弧机构,所述灭弧机构固定设置在外壳内壁顶部;
所述过流检测机构包括主线,所述主线上串联设有三个保险丝,三个所述保险丝相互并联,三个所述保险丝底部并联设有大阻值电阻,所述大阻值电阻一侧串联设有电磁铁,所述电磁铁包括线圈,所述线圈内部设有铁芯;
所述灭弧机构包括储料斗,所述储料斗底部设有落料口,所述落料口内部设有塑料薄膜,所述落料口底部设有隔热罩,所述隔热罩内侧底面设有固定座,所述固定座内部设有顶针,所述顶针底端设有磁片。
在一个优选地实施方式中,所述主线一端贯穿输入端子并延伸至外部,所述主线另一端贯穿输出端子并延伸至外部。
在一个优选地实施方式中,三个所述保险丝设置在隔热罩内部,所述隔热罩由泡沫塑料材料制成。
在一个优选地实施方式中,所述储料斗内部储存有绝缘介质,所述绝缘介质由玻璃纤维材料制成。
在一个优选地实施方式中,所述外壳上设有安装机构,所述安装机构对称设置在外壳两侧。
在一个优选地实施方式中,所述安装机构包括安装块,所述安装块上设有安装孔。
本实用新型的技术效果和优点:
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