[实用新型]一种用于核磁共振的射频发射电路

权利要求书

1.一种用于核磁共振的射频发射电路，其包括单片机、DDS信号源、选层包络发生器、混频器、功率放大器和线圈，其特征在于：所述功率放大器包括一级放大电路和二级放大电路；

所述DDS信号源与混频器的本振信号输入端电性连接，选层包络发生器与混频器的中频信号输入端电性连接，混频器的射频信号输出端、一级放大电路、二级放大电路和线圈顺次电性连接，单片机分别与DDS信号源和选层包络发生器电性连接。

2.如权利要求1所述的一种用于核磁共振的射频发射电路，其特征在于：所述一级放大电路包括运算放大器、电阻R50-R57、电容C112-C114、MOS管Q7-Q8、三极管Q9；

所述运算放大器的同相输入端与混频器的射频信号输出端电性连接，电阻R50的一端与运算放大器的同相输入端电性连接，电阻R50的另一端接地，运算放大器的反相输入端与运算放大器的输出端电性连接，运算放大器的输出端通过电容C112与MOS管Q7的栅极电性连接，MOS管Q7的栅极通过电阻R51与电源电性连接，MOS管Q7的源极通过电阻R56与电源电性连接，MOS管Q7的漏极通过电阻R52与三极管Q9的集电极电性连接，MOS管Q7的源极通过电容C113与MOS管Q8的源极电性连接，MOS管Q8的源极通过电阻R53与三极管Q9的集电极电性连接，MOS管Q8的漏极通过电阻R57与电源电性连接，MOS管Q8的栅极通过电容C114接地，MOS管Q8的通过电阻R55与电源电性连接，三极管Q9的发射极通过电阻R54接地，三极管Q9的基极与电源电性连接。

3.如权利要求2所述的一种用于核磁共振的射频发射电路，其特征在于：所述二级放大电路包括MOS管Q10-Q11、电阻R58-R62、电容C115、电容C116、电感L41-L43、二极管D6和二极管D7；

所述MOS管Q10的栅极与MOS管Q7的漏极电性连接，MOS管Q10的栅极通过电阻R60与电源电性连接，MOS管Q10的源极通过电阻R58接地，MOS管Q10的漏极通过电感L42与电源电性连接，MOS管Q10的漏极通过串联的电容C116和电感L40分别与二极管D6的正极和二极管D7的负极电性连接，二极管D6的负极和二极管D7的正极均通过电阻R62接地，MOS管Q11的栅极与MOS管Q8的漏极电性连接，MOS管Q11的栅极通过电阻R61与电源电性连接，MOS管Q11的源极通过电阻R59接地，MOS管Q11的漏极通过电感L43与电源电性连接，MOS管Q11漏极通过串联的电容C115和电感L41接地。

4.如权利要求1所述的一种用于核磁共振的射频发射电路，其特征在于：所述DDS信号源包括相互连接的频率合成器和数模转换器；

所述单片机分别与频率合成器和数模转换器电性连接，频率合成器与混频器的本振信号输入端电性连接。

5.如权利要求4所述的一种用于核磁共振的射频发射电路，其特征在于：所述单片机为STC12C5A60S2。

6.如权利要求5所述的一种用于核磁共振的射频发射电路，其特征在于：所述频率合成器为AD9851频率合成器。

7.如权利要求6所述的一种用于核磁共振的射频发射电路，其特征在于：所述数模转换器为TLC5615数模转换器；

所述AD9851频率合成器的R_SET引脚与TLC5615数模转换器的OUT引脚电性连接，AD9851频率合成器的D0～D7引脚分别与STC12C5A60S2的P2口的I/O引脚一一对应电性连接，AD9851频率合成器的W_CLK、FQ_UD、REFCLK、VOUTP和RESET引脚分别与STC12C5A60S2的P3.7、P3.6、XTAL2、P3.5和P5.1引脚一一对应电性连接，TLC5615数模转换器的CS、DIN和SCLK引脚分别与STC12C5A60S2的P3.2～P3.4引脚一一对应电性连接。

8.如权利要求1所述的一种用于核磁共振的射频发射电路，其特征在于：所述混频器为TUF-1LH。