[实用新型]晶圆表面激活腔体

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种新型的晶圆表面激活腔体的设计。一种晶圆表面激活腔体，其中，包括一腔体，所述腔体内设置有：一上电极，设置于所述腔体的上部；一下电极，与所述上电极平行设置于所述腔体的下部；一晶圆固定装置，设置于所述腔体上部，用以将一待加工晶圆固定于所述上电极的下表面，并使所述待加工晶圆的待加工面朝向所述下电极；一组进气口，设置于所述下电极周围；一第一排气口，设置于所述下电极的一侧。本实用新型通过改变进气管路和排气管路以及聚焦环和接收传送装置的位置，将晶圆传送到上电极进行表面激活，减少因晶圆表面激活产生的颗粒在键合时形成气泡，提高了晶圆产品良率，减少晶圆报废。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆表面激活腔体。

背景技术

在晶圆键合工艺中，需要将晶圆表面进行活化，即利用高频交变电场产生大量电子，电子在电场加速并碰撞气体分子，形成等离子体，晶圆表面在受到加速等离子体轰击下被活化。

在现有技术中，晶圆通常被放置到一等离子刻蚀室中进行上述活化工艺。由于晶圆在前程制程附着的颗粒在等离子刻蚀腔体内存在聚集效应，在晶圆表面激活时，晶圆表面附着的颗粒在等离子体轰击的过程中，始终附着在晶圆表面，此外，等离子刻蚀腔体中由之前制程附着的颗粒也会因等离子体轰击而扬起，被扬起的颗粒会有很大一部分落到晶圆表面。部分落到晶圆表面的颗粒在表面激活过程中与晶圆表面结合，在后续清洗工艺时很难去除，这些颗粒在晶圆键合时会在晶圆表面形成气泡，从而将降低晶圆产品良率，甚至导致晶圆报废。

发明内容

本实用新型的目的在于，提供一种晶圆表面激活腔体，解决以上技术问题。

本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

一种晶圆表面激活腔体，其中，包括一腔体，所述腔体内设置有：

一上电极，设置于所述腔体的上部；

一下电极，与所述上电极平行设置于所述腔体的下部；

一晶圆固定装置，设置于所述腔体上部，用以将一待加工晶圆固定于所述上电极的下表面，并使所述待加工晶圆的待加工面朝向所述下电极；

一组进气口，设置于所述下电极周围；

一第一排气口，设置于所述下电极的一侧。

优选地，所述晶圆表面激活腔体还包括，至少一个第二排气口，沿所述上电极和下电极的周向设置。

优选地，所述晶圆固定装置包括真空吸附装置、静电吸附装置、卡盘固定装置中的一种。

优选地，所述一组进气口沿所述下电极周向均匀布置。

优选地，所述一组进气口连接进气管路，用以向所述腔体内导入反应气体。

优选地，所述第一排气口连接排气管路，用以排出所述腔体内的反应气体。

优选地，所述第二排气口由石英套件形成。

优选地，上电极周向套设有一聚焦环，所述聚焦环下表面与所述上电极下表面平齐。

优选地，所述下电极通过一底座连接于所述腔体底部，所述一组进气口设置于所述底座上。

优选地，所述第一排气口设置于所述底座上。

有益效果：由于采用以上技术方案，通过对现有晶圆表面激活腔体结构的改进，改变进气管路和排气管路以及聚焦环和接收传送装置的位置，将晶圆传送到上电极进行表面激活，减少因晶圆表面激活产生的颗粒在键合时形成气泡，提高了晶圆产品良率，减少晶圆报废。

附图说明

图1为本实用新型的一种具体实施方式的腔体结构图。