[实用新型]一种基于单电感的可拓展的多源环境能量俘获接口电路

权利要求书

1.一种基于单电感的可拓展的多源环境能量俘获接口电路，其特征在于包括第一直流源采集模块、第二直流源采集模块、第三直流源采集模块、多个第四直流源采集模块、数量与所述的第四直流源采集模块对应的压电能采集模块、电感、续流二极管、第一储能电容和负载，所述的第一直流源采集模块的正端与所述的电感的一端连接，所述的电感的另一端、所述的第二直流源采集模块的负端及每个所述的第四直流源采集模块的负端连接，所述的第四直流源采集模块的正端与对应的一个所述的压电能采集模块的负端连接，所述的第二直流源采集模块的正端与所述的续流二极管的阳极连接，所述的续流二极管的阴极与所述的第三直流源采集模块的负端连接，所述的第三直流源采集模块的正端、所述的第一储能电容的一端及所述的负载的一端连接，所述的第一储能电容的另一端、所述的负载的另一端、所述的第一直流源采集模块的负端及所述的压电能采集模块的正端均接地。

2.根据权利要求1所述的一种基于单电感的可拓展的多源环境能量俘获接口电路，其特征在于所述的压电能采集模块包括压电片、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电容、第一二极管、第二二极管、第一NPN管、第一PNP管、第二NPN管和第二PNP管，所述的第一PMOS管的源极与所述的第二PMOS管的源极连接并作为所述的压电能采集模块的正端，所述的第一PMOS管的漏极、所述的第二PMOS管的栅极、所述的压电片的1脚、所述的第一二极管的阴极、所述的第一NPN管的基极及所述的第一PNP管的集电极连接，所述的第二PMOS管的漏极、所述的第一PMOS管的栅极、所述的压电片的2脚、所述的第二二极管的阴极、所述的第二NPN管的基极及所述的第二PNP管的集电极连接，所述的第一二极管的阳极、所述的第一NPN管的发射极及所述的第一电容的一端连接，所述的第一电容的另一端、所述的第二二极管的阳极及所述的第二NPN管的发射极连接，所述的第一NPN管的集电极与所述的第一PNP管的基极连接，所述的第二NPN管的集电极与所述的第二PNP管的基极连接，所述的第一PNP管的发射极与所述的第二PNP管的发射极连接并作为所述的压电能采集模块的负端。

3.根据权利要求1所述的一种基于单电感的可拓展的多源环境能量俘获接口电路，其特征在于所述的第一直流源采集模块、所述的第二直流源采集模块、所述的第三直流源采集模块和所述的第四直流源采集模块的结构相同，所述的第一直流源采集模块包括直流换能器和第二储能电容，所述的直流换能器的1脚与所述的第二储能电容的一端连接并作为所述的第一直流源采集模块的正端，所述的直流换能器的2脚与所述的第二储能电容的另一端连接并作为所述的第一直流源采集模块的负端。