[实用新型]一种半导体激光器

说明书

本实用新型公开了一种半导体激光器，该半导体激光器包括：依次层叠的衬底、发光层和出光镜面，衬底具有贯穿的通孔，露出发光层远离出光镜面的第一表面；反射层，设置在衬底的通孔暴露的发光层的第一表面。本实用新型实施例提供的半导体激光器，在衬底上形成有贯穿衬底的通孔，该通孔露出发光层远离出光镜面的第一表面，在发光层露出的第一表面上沉积有反射层，反射层与出光镜面共同构成半导体激光器的谐振腔，该半导体激光器反射层为沉积形成，与发光层的第一表面结合的较为紧密，使得半导体激光器的良率高，解决了现有技术中采用Bonding方式形成反射层不易在大面积晶圆上制作且制作后反射层与发光层表面结合不够紧密导致的良率较差的问题。

技术领域

本实用新型涉及激光器技术领域，具体涉及一种半导体激光器。

背景技术

激光器的谐振腔具有提供正反馈和控制腔内震荡光束的特征，是激光器的必要组成部分。谐振腔通常由两块与激活介质轴线垂直的平面或凹球面反射镜构成。半导体激光器通常采用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，以获得共振所需的受激能量。

超晶格结构作为一种可具备光子带隙的材料被广泛应用于光电子器件的设计当中。超晶格结构本身便是一种反射镜结构，在光波导、发光二极管和激光器中得到了应用。现有的激光器谐振腔采用由分布式布拉格反射镜(DBR，distributed Bragg reflection)构成，它由两种不同折射率的材料以ABAB的方式交替排列组成的周期结构，相当于简单的一组超晶格。但是在制备DBR的过程中，如果两种材料的介电常数较为接近，则需要镀较多层的DBR才可以达到90％以上的反射率，制备时间长，会造成器件良率的降低。

现有技术中为了解决上述问题，提供了采用高反射金属层代替DBR，现有技术中制备金属层时，采用Bonding方式形成，但是，Bonding方式不易在大面积晶圆上制作且良率较差，此外，Bonding方式需在衬底上外延生长额外的可选择性蚀刻阻挡层,Bonding完成后,需用湿法蚀刻移除衬底,增加工艺上复杂度。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种半导体激光器，以解决现有技术采用Bonding方式制备金属层工艺复杂的技术问题。

本实用新型提出的技术方案如下：

本实用新型实施例提供一种半导体激光器，该半导体激光器包括：依次层叠的衬底、发光层和出光镜面，所述衬底具有贯穿的通孔，露出所述发光层远离所述出光镜面的第一表面；反射层，沉积在所述衬底的通孔暴露的所述发光层的第一表面。

可选地，该半导体激光器还包括：黏着层，所述黏着层设置在所述反射层和发光层之间。

可选地，所述反射层包括反射金属层，所示反射金属层包括为金、银、铜、铝中的任意一种；所述反射层的厚度为50～200nm。

可选地，所述黏着层包括黏着金属层，所示黏着金属层包括钛、铬、碳化镍中的任意一种；所述黏着层的厚度为2～10nm。

可选地，所述出光镜面包括沿垂直于所述发光层表面多个交替排列的高折射率材料层和低折射率材料层。

本实用新型实施例还提供一种半导体激光器的制备方法，所述制备方法包括：在衬底上依次层叠制备发光层和出光镜面；在所述衬底上形成贯穿衬底的通孔，露出所述发光层远离所述出光镜面的第一表面；在所述发光层露出的第一表面上制备反射层，形成所述半导体激光器。

可选地，在所述发光层露出的第一表面上制备反射层，形成所述半导体激光器之前，还包括：在所述发光层露出的第一表面上制备黏着层。

可选地，在所述衬底上形成贯穿衬底的通孔包括：在所述衬底远离发光层的表面采用腐蚀、研磨、干法刻蚀或湿法刻蚀中的任意一种形成贯穿衬底的通孔。

可选地，所述反射层和所述黏着层采用蒸镀或溅射工艺制备。