[实用新型]一种防止硅片粘连的慢提拉槽体结构有效
| 申请号： | 201920697192.4 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN209461430U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王涛;余波;杨蕾 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 韦群 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提拉槽 引流槽 隔离板 托盘 粘连 硅片 本实用新型 两侧面 体结构 等距间隔设置 槽体结构 等距间隔 夹具工装 交叉分布 薄硅片 良品率 体内 侧面 改造 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止硅片粘连的慢提拉槽体结构，包括慢提拉槽(1)，所述慢提拉槽(1)内设置有托盘(2)，其特征在于：所述托盘(2)上等距间隔设置有若干隔离板(3)，所述隔离板(3)两侧面均开设有引流槽(4)。
2.根据权利要求1所述的一种防止硅片粘连的慢提拉槽体结构，其特征在于：所述托盘(2)的四个拐角处均固定设置有花篮卡点(5)。
3.根据权利要求1所述的一种防止硅片粘连的慢提拉槽体结构，其特征在于：所述隔离板(3)厚度为1.0-1.5mm，高度为6-8cm，宽度为3-4cm。
4.根据权利要求1所述的一种防止硅片粘连的慢提拉槽体结构，其特征在于：所述隔离板(3)两侧面设置的引流槽(4)呈交叉分布，每个侧面的引流槽(4)设置有10-15根，且引流槽(4)宽度为0.5-0.7mm，深度为0.3-0.4mm。
5.根据权利要求1所述的一种防止硅片粘连的慢提拉槽体结构，其特征在于：每两块相邻所述隔离板(3)之间的间距为4mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
