[实用新型]指纹传感装置及电子设备有效
申请号: | 201920705165.7 | 申请日: | 2019-05-16 |
公开(公告)号: | CN210110763U | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 赵帆;李卓;陈飞祥 | 申请(专利权)人: | 北京集创北方科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06K9/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 指纹 传感 装置 电子设备 | ||
1.一种指纹传感装置,其特征在于,包括:
第一单元;
位于所述第一单元上的多个第二单元,所述第二单元用于提供感应信号;
多个第三单元,用于根据所述感应信号提供检测信号;以及
多个第四单元,多个所述第四单元分别连接至相应的所述第二单元和所述第三单元之间,用于提供静电电荷的释放路径和所述感应信号的导通路径,
其中,所述第四单元包括电压调整模块。
2.根据权利要求1所述的指纹传感装置,其特征在于,所述电压调整模块包括钳位晶体管,至少一个所述钳位晶体管形成于所述第一单元内。
3.根据权利要求1所述的指纹传感装置,其特征在于,所述第四单元还包括:
输入端,连接至所述第二单元,用于接收输入信号,所述输入信号包括所述感应信号和所述静电电荷;
输出端,连接至所述输入端,用于提供所述感应信号;
第一静电防护元件,所述第一静电防护元件的第一端连接至参考电源,第二端连接至所述输入端和所述输出端之间;以及
第二静电防护元件,所述第二静电防护元件的第一端连接至所述输入端和所述输出端之间,第二端连接至参考地,
其中,所述电压调整模块连接在所述第一静电防护元件与所述第二静电防护元件之间。
4.根据权利要求3所述的指纹传感装置,其特征在于,
所述第一静电防护元件包括第一二极管,所述第一二极管的第一端连接至参考电源,第二端连接至所述输入端和所述输出端之间;
所述第二静电防护元件包括第二二极管,所述第二二极管的第一端连接至所述输入端和所述输出端之间,第二端连接至所述参考地;
所述电压调整模块包括钳位晶体管,所述钳位晶体管的第一通路端连接至所述参考电源,第二通路端连接至所述参考地,控制端连接至所述参考电源或所述参考地,
其中,所述第一二极管和所述钳位晶体管用于提供带正电的所述静电电荷与所述参考地之间的所述静电释放路径,所述第二二极管用于提供带负电的所述静电电荷与所述参考地之间的所述静电释放路径。
5.根据权利要求3所述的指纹传感装置,其特征在于,
所述第一静电防护元件包括第一晶体管,所述第一晶体管的第一通路端和控制端分别连接至参考电源,第二通路端连接至所述输入端和所述输出端之间;
所述第二静电防护元件包括第二晶体管,所述第二晶体管的第一通路端连接至所述输入端和所述输出端之间,第二通路端和控制端分别连接至所述参考地;以及
所述电压调整模块包括钳位晶体管,所述钳位晶体管的第一通路端连接至所述参考电源,第二通路端连接至所述参考地,控制端连接至所述参考电源或所述参考地,
其中,所述第一晶体管和所述钳位晶体管用于提供带正电的所述静电电荷与所述参考地之间的所述静电释放路径,所述第二晶体管用于提供带负电的所述静电电荷与所述参考地之间的所述静电释放路径。
6.根据权利要求4或5所述的指纹传感装置,其特征在于,
当所述钳位晶体管为NMOS晶体管时,所述钳位晶体管的控制端连接至所述参考地;
当所述钳位晶体管为PMOS晶体管时,所述钳位晶体管的控制端连接至所述参考电源。
7.根据权利要求1所述的指纹传感装置,其特征在于,所述第三单元包括:
运算放大器,所述运算放大器的同相输入端连接至参考地或参考电压,反相输入端连接至所述第四单元的输出端;以及
电容,所述电容的第一端连接至所述运算放大器的反相输入端,第二端连接至所述运算放大器的输出端。
8.根据权利要求7所述的指纹传感装置,其特征在于,所述第四单元包括:
第一开关管,所述第一开关管的第一端连接至所述电容的第一端,第二端连接至所述电容的第二端;以及
第二开关管,所述第二开关管的第一端连接至所述第二单元,第二端连接至所述参考地,
其中,所述第二开关管为NMOS晶体管,所述第二开关管的寄生二极管提供所述静电电荷与所述参考地之间的所述静电释放路径的至少一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的