[实用新型]一种等离子体处理装置及单极静电卡盘

权利要求书

1.一种单极静电卡盘，其特征在于，包括上部基体和下部基体；

所述上部基体包括铝基体和陶瓷层，所述陶瓷层层叠固定在所述铝基体上表面；所述上部基体与所述下部基体层叠，固定连接为一体；所述下部基体内嵌入电极接头，所述电极接头与外部电路连接。

2.根据权利要求1所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述陶瓷层表面分布有多个圆台。

3.根据权利要求2所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述上部基体的铝基为气道铝基体，其内部分布有气体通道，上表面设有与所述气体通道连通的气孔；

所述陶瓷层，表面分布有多个气孔，所述陶瓷层表面的气孔通过所述气道铝基体上表面的气孔与所述气体通道连通，形成第一气道，所述第一气道与所述第一气源连通；

所述陶瓷层表面边缘设置了高出所述陶瓷层的表面的环形凸棱，所述凸棱高度等于所述圆台的高度。

4.根据权利要求1所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述下部基体内部分布有与外界连通的冷凝剂通道。

5.根据权利要求1所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述陶瓷层层厚度为10-900μm，经加工后所述陶瓷层表面粗度为Ra0.1-Ra3。

6.根据权利要求1所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述上部基体和所述下部基体的侧面喷涂陶瓷层。

7.根据权利要求6所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述陶瓷层厚度为10-900μm，经加工后所述陶瓷层表面粗度为Ra0.1-Ra3。

8.根据权利要求3所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述气道铝基体的下表面的平面度为0.002-0.1mm。

9.根据权利要求1所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述下部基体的上表面的平面度为0.002-0.1mm。

10.根据权利要求3所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述气道铝基体的下表面的粗糙度为Ra0.01-Ra0.2。

11.根据权利要求1所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述下部基体的上表面的粗糙度为Ra0.01-Ra0.2。

12.根据权利要求1所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述上部基体和所述下部基体之间可拆卸地固定连接。

13.根据权利要求3所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述环形凸棱为内外两道。

14.根据权利要求13所述的单极静电卡盘，其特征在于，在所述陶瓷层表面两道环形凸棱之间分布有边缘气孔，所述气道铝基体内对应所述边缘气孔的位置开设有气槽，在所述气道铝基体上表面对应所述气槽位置开设与所述边缘气孔连通的气孔，形成第二气道；所述第二气道的气源不同于所述第一气道气源。

15.根据权利要求2所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述圆台均匀分布在所述陶瓷层表面。

16.根据权利要求1所述的单极静电卡盘，其特征在于，在平行于所述单极静电卡盘表面的平面内，所述上部基体的尺寸大于所述下部基体的尺寸。

17.根据权利要求1所述的单极静电卡盘，其特征在于，所述电极接头嵌入所述铝基体内。

18.一种等离子体处理装置，包括腔室，其特征在于，在所述腔室内设置权利要求1-17任一所述的单极静电卡盘。