[实用新型]一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器有效

专利信息
申请号: 201920708737.7 申请日: 2019-05-17
公开(公告)号: CN209927302U 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 黄志明;胡涛;张志博;张惜月;邱琴茜;马万里;吴彩阳;李敬波;高艳卿;马建华;黄敬国;吴敬 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G01J5/20 分类号: G01J5/20
代理公司: 31311 上海沪慧律师事务所 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 锰钴镍 敏感元 探测器 窄带 表面结构层 非制冷 氧介质 等离子激元 金属反射层 半球透镜 光谱曲线 结构参数 金属结构 目标识别 品质因子 提升器件 专利结构 刻蚀型 微结构 响应率 氧敏感 锗单晶 氧化铝 波长 衬底 管座 刻蚀 吸收 反射 探测 金属 图案 引入 保证
【权利要求书】:

1.一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器,包括锰钴镍氧敏感元(1),锰钴镍氧介质超表面结构层(2),氧化铝衬底(3),金属反射层(4),绝缘层(5),导热硅脂(6),电极(7),焊丝(8),器件引脚(9),锗单晶半球透镜(10),器件管座(11),其特征在于:

所述的探测器结构如下:在氧化铝衬底(3)的上方依次镀有金属反射层(4),绝缘层(5),锰钴镍氧敏感元(1)和锰钴镍氧介质超表面结构层(2);在锰钴镍氧敏感元(1)表面,锰钴镍氧介质超表面结构层(2)的两侧,是电极(7);氧化铝衬底(3)通过导热硅脂(6)粘贴在器件管座(11)上;将电极(7)与器件引脚(9)用焊丝(8)相连;锗单晶半球透镜(10)封装在器件管座(11)上方的卡槽里。

2.根据权利要求1所述的敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器,其特征在于:所述的氧化铝衬底(3)为非晶氧化铝宝石片,厚度为80um。

3.根据权利要求1所述的敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器,其特征在于:所述的金属反射层(4)为铬薄膜30nm,金薄膜300nm。

4.根据权利要求1所述的敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器,其特征在于:所述的绝缘层(5)为5nm氧化铝薄膜。

5.根据权利要求1所述的敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器,其特征在于:所述的锰钴镍氧敏感元(1)和锰钴镍氧介质超表面结构层(2)总厚度为0.76um或者1.3um,其中锰钴镍氧敏感元(1)厚度为0.46um或者1um,锰钴镍氧介质超表面结构层(2)厚度固定为0.3um,刻蚀的方块结构周期为5.9um-7.4um,占空比为0.25。

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