[实用新型]一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器

权利要求书

1.一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器,包括锰钴镍氧敏感元(1)，硅介质结构层(2)，氧化铝衬底(3)，电极(4)，金线焊丝(5)，导热硅脂(6)，器件引脚(7)，锗单晶半球透镜(8)，器件管座(9),其特征在于:

所述的探测器结构如下：氧化铝衬底(3)上方依次为锰钴镍氧敏感元(1)和硅介质结构层(2)；氧化铝衬底(3)用导热硅脂(6)粘贴在器件管座(9)上；在锰钴镍氧敏感元(1)的表面，硅介质结构层(2)的两侧，是电极(4)；器件引脚(7)与电极(4)用金线焊丝(5)相连；锗单晶半球透镜(8)封装在器件管座(9)上方的卡槽里。

2.根据权利要求1所述的一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器，其特征在于：所述的氧化铝衬底(3)为非晶氧化铝宝石片，厚度为65um。

3.根据权利要求1所述的一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器，其特征在于：所述的锰钴镍氧敏感元(1)的厚度为5-8um。

4.根据权利要求1所述的一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器，其特征在于：所述的硅介质结构层(2)的厚度为1.9um，方块结构周期为4.8um-5.0um，占空比为0.25。