[实用新型]一种红外锗单晶径向电阻率检测装置

说明书

本实用新型公开了一种红外锗单晶径向电阻率检测装置，包括壳体以及安装在壳体内部中间位置的挡板，所述壳体顶部中间位置开设有第一开槽，所述壳体一侧开设有第二开槽，所述第二开槽底部开设有限位孔，所述挡板两侧均设置有第一压缩弹簧，所述第一压缩弹簧远离挡板一端均安装有限位机构，所述限位机构包括第一滑槽、底板、限位板以及检测针。本实用新型通过移动限位板，进而使得第一压缩弹簧发生形变，通过第一压缩弹簧的弹力将不同直径的红外锗单晶紧紧固定在限位板之间，同时由于检测针与限位板之间的固定关系，进而使得挡板两侧的检测针一直处于对称位置，进而方便测出红外锗单晶的径向电阻率，使得整个检测过程简单便捷，提高工作效率。

技术领域

本实用新型涉及锗单晶电阻率检测技术领域，具体为一种红外锗单晶径向电阻率检测装置。

背景技术

随着时代的发展，半导体材料的使用也越来越广泛，按照其制造技术可分为集成电路器件、分立器件、光电半导体等，锗单晶便是半导体材料中的一种，随着硅原料的产生，锗单晶在电子工业中逐渐被硅取代，但锗单晶在红外光学中仍有着较高的使用率，为了更好的了解锗单晶的电阻特性，需要对其进行电阻率的检测，现阶段大都采用红外锗单晶电阻率检测装置对红外锗单晶的径向电阻率进行检测。

但是，现有的红外锗单晶电阻率检测装置存在以下缺点：

1、现有的红外锗单晶电阻率检测装置在检测红外锗单晶径时，由结构本身缺陷的原因不能对不同直径的红外锗单晶径进行有效的固定，进而导致现有的红外锗单晶径向电阻率检测装置在使用时具有一定的局限性，进而可能增加检测时所需要的步骤，进而降低了工作效率。

2、现有的红外锗单晶电阻率检测装置在检测红外锗单晶径时，需要先对红外锗单晶的长度进行测量，然后才能进行下一步电阻率的测量，使得整个过程变得繁琐，进而降低了工作效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种红外锗单晶径向电阻率检测装置，解决了现有红外锗单晶径向电阻率检测装置不能对不同直径的红外锗单晶径进行有效固定的问题，同时解决了现有红外锗单晶径向电阻率检测装置检测过程繁琐的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种红外锗单晶径向电阻率检测装置，包括壳体以及安装在壳体内部中间位置的挡板，所述壳体顶部中间位置开设有第一开槽，所述壳体一侧开设有第二开槽，所述第二开槽底部开设有限位孔，所述挡板两侧均设置有第一压缩弹簧，所述第一压缩弹簧远离挡板一端均安装有限位机构，所述限位机构包括第一滑槽、底板、限位板以及检测针，所述第一滑槽开设在壳体底部内侧，所述底板设置在第一滑槽内部，所述限位板底部与底板顶部固定连接，所述限位板顶部贯穿开槽，所述限位板内部开设有第二滑槽，所述限位板靠近挡板一侧开设有槽口，所述检测针远离挡板一端的中心位置设置有控制组件，所述检测针远离挡板一端设置在槽口内部，所述检测针靠近挡板一端贯穿槽口。

优选的，所述第二滑槽内部设置有第二压缩弹簧，所述第二压缩弹簧底部设置有滑块，所述滑块顶部中间位置与检测针远离挡板一端固定连接。

优选的，所述控制组件由连接杆以及限位杆组成，所述连接杆靠近底板一侧与检测针固定连接，所述连接杆远离底板一端贯穿第二开槽，所述限位杆顶部通过铰接的方式与连接杆远离底板一端相连接，所述限位杆底部与限位孔内壁相接触。

优选的，所述限位板顶部形状设置为多边形结构，所述限位板顶部靠近挡板一侧安装有保护层。

优选的，所述保护层由绝缘材料制成，所述保护层厚度为15mm。

本实用新型提供了一种红外锗单晶径向电阻率检测装置，具备以下有益效果：