[实用新型]一种MEMS结构有效
申请号: | 201920713977.6 | 申请日: | 2019-05-18 |
公开(公告)号: | CN209748812U | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 刘端 | 申请(专利权)人: | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230092 安徽省合肥市高新区习友路333*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电复合 振动层 空腔 微机电系统 残余应力 衬底材料 衬底支撑 邻近设置 外围区域 中间区域 灵敏度 质量块 形变 衬底 声压 通孔 外围 贯穿 支撑 申请 | ||
1.一种MEMS结构,其特征在于,包括:
衬底,具有空腔;
压电复合振动层,形成在所述空腔的正上方,其中,所述压电复合振动层的外围区域分布有贯穿所述压电复合振动层的多个第一通孔;
质量块,形成在所述压电复合振动层的中间区域。
2.根据权利要求1所述的MEMS结构,其特征在于,所述压电复合振动层包括:
振动支撑层,形成在所述衬底上方;
第一电极层,形成在所述振动支撑层上方;
第一压电层,形成在所述第一电极层上方;
第二电极层,形成在所述第一压电层上方。
3.根据权利要求2所述的MEMS结构,其特征在于,开口从所述第二电极层的上表面连续延伸至所述第一电极层的下表面,所述质量块形成在所述开口内并且位于所述振动支撑层上方。
4.根据权利要求3所述的MEMS结构,其特征在于,多个第二通孔形成在所述开口内并且贯穿所述振动支撑层,其中,所述多个第二通孔邻近所述开口的边缘并且呈圆形分布。
5.根据权利要求3所述的MEMS结构,其特征在于,在所述开口内的所述振动支撑层具有向所述衬底突出的波浪形褶皱,其中,所述波浪形褶皱邻近所述开口的边缘并且从上视图方向看呈圆形。
6.根据权利要求2所述的MEMS结构,其特征在于,所述质量块形成在所述第二电极层上方。
7.根据权利要求6所述的MEMS结构,其特征在于,多个第二通孔邻近所述质量块的边缘并且呈圆形分布,所述多个第二通孔连续贯穿所述振动支撑层、所述第一电极层、所述第一压电层和所述第二电极层。
8.根据权利要求6所述的MEMS结构,其特征在于,波浪形褶皱邻近所述质量块的边缘并且从上视图方向看呈圆形,所述波浪形褶皱具有向所述衬底突出的所述振动支撑层、所述第一电极层、所述第一压电层和所述第二电极层。
9.根据权利要求6所述的MEMS结构,其特征在于,波浪形褶皱邻近所述质量块的边缘并且从上视图方向看呈圆形,所述波浪形褶皱仅具有向所述衬底突出的所述振动支撑层。
10.根据权利要求1所述的MEMS结构,其特征在于,连接所述多个第一通孔所构成的分割直线经过所述压电复合振动层的中心点,并且将所述压电复合振动层分割成多个区域。
11.根据权利要求10所述的MEMS结构,其特征在于,至少一条所述分割直线上的所述多个第一通孔设置为等间距。
12.根据权利要求2所述的MEMS结构,其特征在于,所述第一电极层和所述第二电极层具有至少两个相互隔离的分区,相互对应的所述第一电极层和所述第二电极层的分区构成电极层对,多个所述电极层对依次串联。
13.根据权利要求2所述的MEMS结构,其特征在于,所述振动支撑层包括氮化硅、氧化硅、单晶硅、多晶硅构成的单层或者多层复合膜结构。
14.根据权利要求1所述的MEMS结构,其特征在于,所述质量块的密度大于氮化硅的密度。
15.根据权利要求2所述的MEMS结构,其特征在于,所述多个第一通孔连续贯穿所述振动支撑层、所述第一电极层、所述第一压电层和所述第二电极层。
16.根据权利要求2所述的MEMS结构,其特征在于,所述压电复合振动层还具有从所述第二电极层的上表面延伸至所述第一电极层的下表面的第二凹槽,所述多个第一通孔位于所述第二凹槽内并且只穿透所述振动支撑层。
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