[实用新型]一种射频开关及射频通信装置有效
| 申请号： | 201920715784.4 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN209787140U | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王小保;赵卫军;余冰;杨红祥;牟加伟 | 申请（专利权）人： | 上海猎芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/687 |
| 代理公司： | 11442 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 马铁良;柳岩 |
| 地址： | 200083 上海市虹口区花*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 串联结构 射频开关 输出端 输入端 射频通信装置 输出射频信号 输入射频信号 本实用新型 | ||
1.一种射频开关，其特征在于，包括用于输入射频信号的输入端、用于输出射频信号的输出端、及连接在所述输入端和所述输出端之间的MOS器件串联结构，所述MOS器件串联结构包括串联连接的第一MOS器件、第二MOS器件和第三MOS器件、且所述第三MOS器件连接在所述第一MOS器件和所述第二MOS器件之间；所述第一MOS器件的沟道长度大于所述第三MOS器件的沟道长度，和/或，所述第二MOS器件的沟道长度大于所述第三MOS器件的沟道长度。
2.根据权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述第一MOS器件的沟道长度和所述第二MOS器件的沟道长度相同。
3.根据权利要求2所述的射频开关，其特征在于，所述第一MOS器件的沟道长度和所述第二MOS器件的沟道长度均为0.32μm，所述第三MOS器件的沟道长度为0.24μm。
4.根据权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述第一MOS器件、所述第二MOS器件和所述第三MOS器件在所述射频开关中的占用面积相同。
5.根据权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述第一MOS器件、所述第二MOS器件和所述第三MOS器件沟道宽度相同。
6.根据权利要求5所述的射频开关，其特征在于，所述第一MOS器件、所述第二MOS器件和所述第三MOS器件沟道宽度均为3㎜。
7.根据权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述第一MOS器件、所述第二MOS器件和所述第三MOS器件的类型相同。
8.根据权利要求7所述的射频开关，其特征在于，所述第一MOS器件、所述第二MOS器件和所述第三MOS器件均为NMOS管。
9.一种射频通信装置，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的射频开关。
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