[实用新型]一种基于MOS功率管的整流桥电路有效

专利信息
申请号: 201920716503.7 申请日: 2019-05-17
公开(公告)号: CN209896936U 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 唐俊雄 申请(专利权)人: 杭州涂鸦信息技术有限公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219
代理公司: 44470 广东君龙律师事务所 代理人: 丁建春
地址: 310000 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 本实用新型 单向导通电路 全桥整流器 整流桥电路 导通阻抗 分压电路 功率损失 整流桥 散热 构建
【权利要求书】:

1.一种基于MOS功率管的整流桥电路,其特征在于,包括:第一PMOS功率管、第二PMOS功率管、第一NMOS功率管、第二NMOS功率管、第三NMOS功率管、第四NMOS功率管、第一分压电路、第二分压电路、第三分压电路、第四分压电路、第一单向导通电路、第二单向导通电路、第三单向导通电路和第四单向导通电路;

所述第一PMOS功率管的源极与所述第一NMOS功率管的漏极连接后作为所述整流桥电路的第一输入端,所述第二PMOS功率管的源极与所述第二NMOS功率管的漏极连接后作为所述整流桥电路的第二输入端;

所述第一PMOS功率管的漏极与所述第二PMOS功率管的漏极连接后作为所述整流桥电路的正输出端,所述第二NMOS功率管的源极与所述第二NMOS功率管的源极连接后作为所述整流桥电流的负输出端;

所述第一分压电路和第一单向导通电路连接在所述第一输入端和所述第二输入端之间,所述第一单向导通电路导通时,所述第一分压电路输出第一分压信号给所述第一PMOS功率管的栅极,第一PMOS功率管导通;

所述第二分压电路和第二单向导通电路连接在所述第一输入端和所述第二输入端之间,所述第二单向导通电路导通时,所述第二分压电路输出第二分压信号给所述第二PMOS功率管的栅极,第二PMOS功率管导通;

所述第三分压电路和第三单向导通电路连接在所述第一输入端和所述第二输入端之间,所述第三单向导通电路导通时,所述第三分压电路输出第三分压信号给所述第三NMOS功率管的栅极,第三NMOS功率管导通;

所述第四分压电路和第四单向导通电路连接在所述第一输入端和所述第二输入端之间,所述第四单向导通电路导通时,所述第四分压电路输出第四分压信号给所述第四NMOS功率管的栅极,第四NMOS功率管导通;

所述第一输入端获得电源正极、第二输入端获得电源负极时,所述第一单向导通电路和第四单向导通电路导通,所述第一输入端获得电源负极、第二输入端获得电源正极是,所述第二单向导通电路和第三单向导通电路导通。

2.根据权利要求1所述的基于MOS功率管的整流桥电路,其特征在于:

所述第一分压电路包括第一电阻和第二电阻,第一电阻的第一端连接到第一输入端、第二端连接第二电阻的第一端和所述第一PMOS功率管的栅极,第二电阻的第二端连接所述第二输入端;

所述第二分压电路包括第三电阻和第四电阻,第四电阻的第一端连接到第二输入端、第二端连接第三电阻的第一端和所述第二PMOS功率管的栅极,第三电阻的第二端连接所述第一输入端;

所述第三分压电路包括第五电阻和第六电阻,第六电阻的第一端连接到第二输入端、第二端连接第五电阻的第一端和所述第三NMOS功率管的栅极,第五电阻的第二端连接所述第一输入端;

所述第四分压电路包括第七电阻和第八电阻,第七电阻的第一端连接到第一输入端、第二端连接第八电阻的第一端和所述第四NMOS功率管的栅极,第八电阻的第二端连接所述第二输入端。

3.根据权利要求2所述的基于MOS功率管的整流桥电路,其特征在于:

所述第一单向导通电路包括第一二极管,所述第二电阻的第二端连接所述第一二极管的正极,所述第一二极管的负极连接所述第二输入端;

所述第二单向导通电路包括第二二极管,所述第三电阻的第二端连接所述第二二极管的正极,所述第二二极管的负极连接所述第一输入端;

所述第三单向导通电路包括第三二极管,所述第五电阻的第二端连接所述第三二极管的正极,所述第三二极管的负极连接所述第一输入端;

所述第四单向导通电路包括第四二极管,所述第八电阻的第二端连接所述第四二极管的正极,所述第四二极管的负极连接所述第二输入端。

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