[实用新型]一种SiC模块的双面冷却结构

说明书

本实用新型涉及一种SiC模块的双面冷却结构，包括DBC板组、设置于DBC板组上的功率端子O、功率端子P、功率端子N，SiC mosfet M1、SiC mosfet M2，DBC板组包括下DBC板、中DBC板和上DBC板，所述SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别设置于下DBC板上且与下DBC板之间设置有纳米银烧结层，SiC mosfet M1的源极S1、栅极G1向上设置，SiC mosfet M2的源极S2、栅极G2向下设置，中DBC板设置于SiC mosfet M1上方与SiC mosfet M1的源极S1、栅极G1连接，SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别借助金属薄片与上DBC板连接，该结构散热好、寄生电感低，体积小且可靠性高。

技术领域

本实用新型属于功率半导体封装的技术领域，尤其涉及一种SiC模块的双面冷却结构。

背景技术

功率模块作为电力电子中最常见的器件之一，其可靠性和安全性非常重要，正朝着更紧凑、清洁、可靠、高效的方向发展。要达到这些目标，就需改进电子器件的材料、工艺和优化拓扑结构。SiC mosfet由于具有低损耗特性与高开关频率等优点，其转换效率比Si器件更高，因此，实用SiC mosfet和SBD封装成的SiC功率模块受到了越来越多的关注。

SiC mosfet比Si mosfet更适合应用于高温工作环境，原因在于一方面SiCmosfet自身损耗小，发热量小，自身升温相对较小，另一方面，SiC mosfet的热导率与Simosfet相比高3倍。

轻型化和小型化会导致其他问题，随着电流密度的增加，模块内部的热量不容易散出，导致结温升高，较高的温度会导致逆变器的可靠性，因此，在SiC的应用中，如何在小型化的设计中更好的解决散热问题是研究者都需要考虑的一个问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种SiC模块的双面冷却结构，该结构散热好、寄生电感低，体积小且可靠性高。

本实用新型采用的技术方案是:

一种SiC模块的双面冷却结构，包括DBC板组、设置于DBC板组上的功率端子O、功率端子P、功率端子N，SiC mosfet M1、SiC mosfet M2，关键在于，所述的DBC板组包括下DBC板、中DBC板和上DBC板，所述SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别设置于下DBC板上且与下DBC板之间设置有纳米银烧结层，所述的SiC mosfet M1的源极S1、栅极G1向上设置，SiCmosfet M2的源极S2、栅极G2向下设置，中DBC板设置于SiC mosfet M1上方与SiC mosfetM1的源极S1、栅极G1连接，所述的SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别借助金属薄片与上DBC板连接。

功率端子P、功率端子N，分别设置于下DBC板上且与下DBC板之间设置有纳米银烧结层，所述的功率端子O设置与上DBC板上且与上DBC板之间设置有纳米银烧结层。

所述的中DBC板的下端设置有铜层。

所述的下DBC板与上DBC板之间设置有环氧树脂填充层。

本实用新型的有益效果是：增设了上DBC板，实现了双面散热、冷却的效果，SiCmosfet M1、SiC mosfet M2分别借助纳米银焊接于下DBC板1上，由纳米银烧结代替了键合铝线，可减少寄生电感，且纳米银烧结替代锡膏焊接，提高了焊点的可靠性，避免了焊点断裂导致产品实效的情况，进一步缩小了模块的体积，实现了轻型化和小型化。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型将上DBC板打开后的结构示意图。

图3是本实用新型的电极的位置对应示意图。