[实用新型]一种高摆率的运算放大电路有效

专利信息
申请号: 201920719725.4 申请日: 2019-05-20
公开(公告)号: CN209930213U 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 王博;刘昱;王小松;王明华;秦梦莹;箫延彬;陈思超 申请(专利权)人: 上海夷易半导体有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 11340 北京天奇智新知识产权代理有限公司 代理人: 范光晔
地址: 201200 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 运放 摆率增强电路 运算放大电路 输出管 本实用新型 输出端 差量 输出信号上升 轨到轨运放 输入端信号 隧道二极管 正负输入端 二极管 电路功耗 放大电路 负向电流 负载电容 负阻特性 开关转换 开启状态 控制隧道 输出信号 输出延时 响应能力 增强信号 正向电流 充放电 输入端 减小 输出
【权利要求书】:

1.一种高摆率的运算放大电路,其特征在于,该放大电路包括轨到轨运放和摆率增强电路,其中摆率增强电路包括正摆率增强单元电路和负摆率增强单元电路;摆率增强电路两个输入端分别连接运放的正负输入端,其负向电流输出端与运放的pmos输出管相连,提高输出信号上升速率,其正向电流输出端与运放的nmos输出管相连,提高输出信号的下降速率;上述一种高摆率的运算放大电路,当运放正负两输入端信号的差量大于等于一定差值时,摆率增强电路开启,并控制输出管负载电容的充放电,从而减小了运放的输出延时,当运放的正负两输入信号的差量小于一定差值时,摆率增强电路不工作对运放无影响,能有效提高运放的输出摆率,增强信号的跟随响应能力。

2.根据权利要求1所述的一种高摆率的运算放大电路,其特征在于,所述轨到轨运放包括电流源I1-I4、电压源V1-V2以及mos管M1-M22;其中,

mos管M1的源极和mos管M2的源极于电流源I2的一端相连;mos管M1的漏极与mos管M5的漏极相连;mos管M1的栅极接入轨到轨运放的负向端;mos管M2的漏极与mos管M6的漏极相连;mos管M2的栅极接入轨到轨运放的正向端;mos管M3的源极和mos管M4的源极与电流源I1的一端相连;mos管M3的漏极与mos管M13的源极相连;mos管M3的栅极接入轨到轨运放的负向端;mos管M4的漏极与mos管M14的源极相连;mos管M4的栅极接入轨到轨运放的正向端;mos管M5的源极和mos管M6的源极均接电源电压Vdd;mos管M5的栅极与mos管M6的栅极、mos管M7的漏极相连;mos管M5的漏极与mos管M7的源极相连;mos管M6的漏极与mos管M8的源极相连;mos管M7的栅极与mos管M8的栅极相连,且均接入电压源V2的一端;mos管M7的漏极与mos管M9的源极、mos管M11的漏极相连;mos管M8的漏极与mos管M10的源极、mos管M12的漏极相连,并记为补偿点gp;mos管M9的栅极与mos管M10的栅极、mos管M19的漏极相连;mos管M9的漏极与mos管M11的漏极、mos管M13的漏极相连;mos管M10的漏极与mos管M12的漏极、mos管M14的漏极相连,并记为补偿点gn;mos管M11的栅极与mos管M12的栅极、mos管M18的漏极相连;mos管M13的栅极与mos管M14的栅极相连,且接入电压源V1的一端;mos管M13的源极与mos管M15的漏极相连;mos管M14的源极与mos管M16的漏极相连;mos管M15的栅极与mos管M16的栅极、mos管M13的漏极相连;mos管M15的源极和mos管M16的源极均与gnd相连;mos管M17的源极与gnd相连;mos管M17栅极与漏极短接,且与mos管M18的源极相连;mos管M18栅极与漏极短接,且与电流源I3的一端相连;mos管M19栅极与漏极短接,且与电流源I4的一端相连;mos管M19的源极与mos管M20的漏极相连;mos管M20栅极与漏极短接;mos管M20的源极与电源电压Vdd相连;mos管M21的栅极接入补偿点gp;mos管M21的源极与电源电压Vdd相连;mos管M21的漏极与mos管M22的漏极相连;mos管M22的栅极接入补偿点gn;mos管M22的源极与gnd相连。

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