[实用新型]基于金属纳米电极的定向发射有机电致发光器件阵列有效
申请号: | 201920723364.0 | 申请日: | 2019-05-20 |
公开(公告)号: | CN210245553U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 张新平;黄翠莺 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 金属 纳米 电极 定向 发射 有机 电致发光 器件 阵列 | ||
1.一种基于金属纳米电极的定向发射有机电致发光器件阵列,其特征在于,在玻璃基底上,利用光刻胶纳米光栅作为模版,在纳米光栅每一个凸起栅线的同一侧倾斜面上,制备与所在倾斜面平行的纳米尺度的有机电致发光器件,所述的纳米尺度的有机电致发光器件为以凸起栅线侧面向外依次层叠在一起的阳极层Au、空穴传输层PEDOT:PSS、有机发光层F8BT薄膜、电子传输层LiF、阴极Al;在纳米光栅结构上形成倾斜的有机电致发光器件,所有的有机电致发光器件形成阵列式结构。
2.按照权利要求1所述的一种基于金属纳米电极的定向发射有机电致发光器件阵列,其特征在于,阳极层Au厚度范围40~100nm。
3.按照权利要求1所述的一种基于金属纳米电极的定向发射有机电致发光器件阵列,其特征在于,空穴传输层PEDOT:PSS厚度范围5~20nm。
4.按照权利要求1所述的一种基于金属纳米电极的定向发射有机电致发光器件阵列,其特征在于,有机发光层F8BT薄膜厚度范围60~100nm。
5.按照权利要求1所述的一种基于金属纳米电极的定向发射有机电致发光器件阵列,其特征在于,电子传输层LiF的厚度范围1~2nm。
6.按照权利要求1所述的一种基于金属纳米电极的定向发射有机电致发光器件阵列,其特征在于,阴极Al的厚度范围60~100nm。
7.按照权利要求1所述的一种基于金属纳米电极的定向发射有机电致发光器件阵列,其特征在于,凸起栅线倾斜面和法线的夹角也即有机电致发光器件的倾斜角度为10°~80°。
8.按照权利要求7所述的一种基于金属纳米电极的定向发射有机电致发光器件阵列,其特征在于,角度为30°。
9.按照权利要求1所述的一种基于金属纳米电极的定向发射有机电致发光器件阵列,其特征在于,所述的定向发射为有机电致发光器件所在的倾斜面方向,以光发射轴为中心强度降为1/2处的角度范围定义角度范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择