[实用新型]一种馈电结构及天线有效

专利信息
申请号: 201920732300.7 申请日: 2019-05-21
公开(公告)号: CN210120239U 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 时文文;冯志成 申请(专利权)人: 深圳市海能达通信有限公司
主分类号: H01Q1/50 分类号: H01Q1/50;H01Q21/00
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 张亚菊;郭方伟
地址: 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙四路3号*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 馈电 结构 天线
【权利要求书】:

1.一种馈电结构,其特征在于,包括具有相对的第一表面和第二表面的基板;所述基板包括:在所述第一表面和第二表面之间层叠设置的多个介质层,贯穿所述多个介质层以及所述第一表面和第二表面的金属化通孔;在所述多个介质层之间、围绕所述金属化通孔并与所述金属化通孔保持预设距离的多个导电层;以及贯穿部分介质层与所述导电层电性连接的多个金属化埋孔;

其中所述多个金属化埋孔围绕所述金属化通孔呈圆周排列。

2.根据权利要求1所述的馈电结构,其特征在于,所述圆周排列以所述金属化通孔为圆心。

3.根据权利要求2所述的馈电结构,其特征在于,所述多个金属化埋孔包括九个金属化埋孔,所述九个金属化埋孔绕所述金属化通孔等分圆周排列。

4.根据权利要求1所述的馈电结构,其特征在于,所述多个介质层包括紧贴所述第一表面的第一介质层和紧贴所述第二表面的第二介质层,以及设置与所述第一介质层和第二介质层之间的第三介质层,所述导电层包括设于所述第一介质层与所述第三介质层之间的第一导电层和设于所述第二介质层与所述第三介质层之间的第二导电层;

所述金属化埋孔贯穿所述第三介质层。

5.根据权利要求4所述的馈电结构,其特征在于,所述第一介质层、第二介质层和所述第三介质层的材质相同或者不相同。

6.根据权利要求5所述的馈电结构,其特征在于,所述第一介质层、第二介质层和所述第三介质层的材质为Rogers4350、FR4和TLY-5中的一种或者多种。

7.根据权利要求4所述的馈电结构,其特征在于,所述第一介质层、第二介质层和所述第三介质层的厚度相同或者不相同。

8.根据权利要求7所述的馈电结构,其特征在于,所述第一介质层的厚度大于所述第二介质层的厚度。

9.一种天线,其特征在于,包括天线辐射片,功分网络,以及如权利要求1-8任意一项所述的馈电结构,所述馈电结构的所述金属化通孔在其所述第一表面与所述天线辐射片电性连接,所述馈电结构的所述金属化通孔在其所述第二表面与所述功分网络电性连接。

10.根据权利要求9所述的天线,其特征在于,所述天线辐射片、所述功分网络和所述馈电结构集成于同一PCB板。

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