[实用新型]一种集成电路芯片的装饰结构及电子设备

说明书

本实用新型涉及一种集成电路芯片的装饰结构及电子设备，该装饰结构包括：光阻层，设置在集成电路芯片的上方，光阻层由具有第一折射率的光阻剂构成，光阻层的上表面形成有凹槽；第二折射率层，设置在光阻层的上方以覆盖光阻层的上表面，第二折射率层具有不同于第一折射率的第二折射率；其中，第二折射率层至少填充所述凹槽的部分。本实用新型直接在集成电路芯片上设置的光阻层上进行光学蚀刻从而加工形成纹理图案，不需要纹理模板和转印，加工简单，图案灵活，生产效率高且纹理结构更清晰。

技术领域

本发明涉及装饰领域，尤其涉及一种集成电路芯片的装饰结构及电子设备。

背景技术

集成电路(IC)芯片被广泛用于电子产品中，IC芯片在某些情况下需要直接面对用户，从而需要在IC芯片的表面上进行装饰以提升产品的美观程度。对IC芯片的装饰有些通过油墨印刷来实现，改变IC芯片表面的颜色，但通过油墨印刷不能实现立体的纹理效果；有些在IC芯片表面上设置纹理结构来实现高光和炫彩效果，但纹理结构的加工先将纹理图案加工到纹理模板上，然后在纹理模板上涂上UV胶，通过UV转印把纹理图案复制到IC芯片表面，加工繁琐且必须有模板。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种集成电路芯片的装饰结构及电子设备，以解决集成电路芯片的外观装饰效果单一和加工繁琐的技术问题。

为达到上述目的，本实用新型实施例提供一种集成电路芯片的装饰结构，该装饰结构包括：光阻层，设置在所述集成电路芯片的上方，所述光阻层由具有第一折射率的光阻剂构成，所述光阻层的上表面形成有凹槽；第二折射率层，设置在所述光阻层的上方以覆盖所述光阻层的上表面，所述第二折射率层具有不同于第一折射率的第二折射率；其中，所述第二折射率层至少填充所述凹槽的部分。

其中，所述凹槽具有多个，多个所述凹槽中的至少部分凹槽的深度和/或宽度相同。

其中，所述第二折射率层至少填充每个所述凹槽的部分。

其中，相邻凹槽之间的间距相同。

其中，所述凹槽的深度为纳米级或微米级。

其中，所述第二折射率层的上表面为平面。

其中，所述装饰结构还包括设置在所述第二折射率层上方的保护层，所述保护层覆盖所述平面。

其中，所述集成电路芯片包括设置在所述集成电路芯片的上表面的油墨层，所述光阻层覆盖所述油墨层。

其中，所述油墨层包括多层层叠结构。

本实用新型实施例还提供了一种电子设备，包括：集成电路芯片和上述的装饰结构。

本实用新型实施例所提供的集成电路芯片的装饰结构及电子设备，通过在集成电路芯片上方层叠设置光阻层和第二折射率层，光阻层由具有第一折射率的光阻剂构成，能够通过光学掩膜加工方式或电子束、激光直接雕刻等方式在光阻层的上表面形成凹槽，从而构成纹理图案；通过在光阻层上设置折射率不同的第二折射率层，不同折射率能够展现光阻层凹槽形成的纹理图案的外观效果。并且直接在集成电路芯片上设置的光阻层上进行光学掩膜加工或电子束、激光直接雕刻等加工形成纹理图案，不需要纹理模板和转印，加工简单，图案灵活，生产效率高且纹理结构更清晰。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的集成电路芯片的装饰结构的示意图；

图2为本实用新型另一种实施例提供的集成电路芯片的装饰结构的示意图。

附图标记说明：

1、集成电路芯片；2、光阻层；3、第二折射率层；4、保护层。

具体实施方式