[实用新型]一种具有钝化层结构的太阳电池

说明书

本实用新型公开了一种具有钝化层结构的太阳电池，正面的外钝化保护层设置为氮化硅膜层，背面的外钝化保护层设置为氮氧化硅膜层或二氧化钛膜层，位于所述硅衬底背面的氮氧化硅膜层或二氧化钛膜层上印刷有铝背场，所述铝背场通过激光刻槽与硅衬底形成欧姆接触连接，铝背场背面设置有背电极；位于所述硅衬底正面的氮化硅膜层上设置有正电极，所述正电极与硅衬底连接。本实用新型正、背面不同的外钝化保护层，可以更好的增强了电池片的抗PID性能，并且可以更加有效的提升电池光电转换效率。

技术领域

本实用新型涉及光伏电池技术领域，具体为一种具有钝化层结构的太阳电池。

背景技术

现有技术中，申请号为“200880124779.0”的用于制造具有表面钝化介电双层的太阳能电池的方法以及对应的太阳能电池，以及其余普遍使用的太阳能电池。

目前普遍使用的太阳电池在使用过程中：从未有在硅衬底正面和背面同时生长沉积二氧化硅膜层的结构，使得生产出来的PERC双面电池背面抗PID能力差，并且，从未有过在硅衬底正面和背面的三氧化二铝膜层上分别生长沉积两种不同材质的钝化保护层，导致现有的钝化保护效果非常差，而且电池效率低下，急需要进行改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有钝化层结构的太阳电池，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种具有钝化层结构的太阳电池，包括硅衬底，所述硅衬底正面和背面均依次沉积有内钝化层、中钝化层和外钝化保护层，正面的外钝化保护层设置为氮化硅膜层，背面的外钝化保护层设置为氮氧化硅膜层或二氧化钛膜层；

位于所述硅衬底背面的氮氧化硅膜层或二氧化钛膜层上印刷有铝背场，所述铝背场通过激光刻槽与硅衬底形成欧姆接触连接，铝背场背面设置有背电极；

位于所述硅衬底正面的氮化硅膜层上设置有正电极，所述正电极与硅衬底连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过在硅衬底的正、背表面各生长沉积了一层二氧化硅内钝化层，其具有高损伤阈值和优良的光学性能，配合着在三氧化二铝中钝化层，很好的增强正背面的钝化效果，并且在正面的中钝化层上沉积氮化硅膜层，在背面的中钝化层上沉积氮氧化硅膜层或二氧化钛膜层，氮化硅膜层对硅片具有良好的钝化效果，氮氧化硅膜层具有氮化硅和氧化硅的优良特性，二氧化钛膜层对电池片生产过程中的大多数化学物质都有很好的化学稳定性，其折射率高和吸收率低，并且正、背面不同的外钝化保护层，可以更好的增强了电池片的抗PID性能，并且可以更加有效的提升电池光电转换效率。

附图说明

图1为本实用新型的外钝化保护层设置为氮氧化硅膜层的电池结构示意图；

图2为本实用新型的外钝化保护层设置为二氧化钛膜层的电池结构示意图；

图3为本实用新型的制备方法流程框图；

图4为本实用新型一个优选的制备方法流程框图。

图中：1硅衬底、2内钝化层、3中钝化层、4外钝化保护层、41氮化硅膜层、42氮氧化硅膜层、43二氧化钛膜层、5铝背场、6背电极、7正电极。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1至4，本实用新型提供一种技术方案：