[实用新型]一种高亮度LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种高亮度LED芯片，其包括：衬底；设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层的第一电极；设于所述第二半导体层的第二电极；所述第一电极与第二电极具有倾斜表面。本实用新型还公开了一种上述高亮度LED芯片的制备方法以及封装方法。实施本实用新型，可有效减少了电极面积，同时保证不减少封装打线面积，有效提升了LED芯片的亮度与效能。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种高亮度LED芯片。

背景技术

发光二极管(LED)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，作为照明器件，相对传统照明器件，发光二极管有相当大的优势——寿命长、光效高、无辐射、低功耗、绿色环保。目前LED主要用于显示屏、指示灯、背光源等领域。

LED芯片与封装最为密切的就是在于打线，此打线连结了芯片与封装支架进而导通电流，达成封装器件。由于打线时设备(磁嘴/劈刀)较大，就要求LED芯片的电极较大。但是对于一些高光效的产品，电流应用很小，不需要大面积的电极。这样，就会造成一些电极面积的浪费，增加成本；同时较大的电极也会导致发光区减少，降低LED芯片的发光效率。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种高亮度LED芯片，其可增大芯片的发光面，提升亮度；同时可节省电极成本。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种高亮度LED芯片，其包括：

衬底；

设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；

设于所述第一半导体层的第一电极；

设于所述第二半导体层的第二电极；

所述第一电极和/或第二电极具有倾斜表面。

作为上述技术方案的改进，所述第一电极包括第一底层与第一顶层；所述第二电极包括第二底层与第二顶层；

所述第一底层与第二底层具有平坦的表面；

所述第一顶层与第二顶层具有倾斜的表面。

作为上述技术方案的改进，所述第一底层与第二底层的厚度为0.01-5μm；所述第一顶层与第二顶层的厚度为1-50μm。

作为上述技术方案的改进，所述第一顶层与第二顶层的倾斜角度为1-80度。

作为上述技术方案的改进，所述第一顶层与第二顶层的倾斜角度为20-50度。

作为上述技术方案的改进，所述第一顶层与第二顶层的厚度为2-5μm。

作为上述技术方案的改进，所述第一顶层与第二顶层的厚度为0.5-1μm。

作为上述技术方案的改进，所述第一顶层与第二顶层的厚度为30-50μm。

作为上述技术方案的改进，所述第一底层或第二底层依次包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层、Au层；所述第一顶层或第二顶层的材质为Au、Al、Cu、Ag、Pt中的一种。

作为上述技术方案的改进，所述衬底与外延层之间还设有外延缓冲层。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

1.本实用新型设置了具有倾斜表面结构的电极，减少了电极在占芯片的面积，同时保证了不减少封装打线的面积，有效提升了LED芯片的亮度与效能。

2.本实用新型通过具有倾斜表面结构的电极，有效降低了电极底层在半导体层所占的面积，进而减小了MESA开孔的蚀刻面积，简化了工艺，降低了生产成本。