[实用新型]高阻密栅多晶体太阳能电池片有效
申请号: | 201920748861.6 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN209626233U | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 张仲英;王斌;孔维兴 | 申请(专利权)人: | 浙江绿远光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙) 33261 | 代理人: | 程志军 |
地址: | 323400 浙江省丽*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主栅线 金属丝 多晶硅片 银浆槽 银浆层 太阳能电池片 本实用新型 多晶体 高阻 密栅 电池片串联 彼此平行 复合结构 银浆耗量 有效减少 正面电极 导电胶 副栅线 受光面 电极 电阻 受光 粘接 嵌入 印刷 节约 覆盖 保证 | ||
本实用新型公开了一种高阻密栅多晶体太阳能电池片,包括多晶硅片和设置在多晶硅片上的电极,正面电极包括彼此平行的若干主栅线以及与主栅线连接的若干副栅线,多晶硅片的受光面开设与主栅线位置对应的银浆槽,主栅线嵌入在银浆槽内,主栅线包括位于银浆槽底部的金属丝以及覆盖在金属丝上并经印刷制成的银浆层,银浆层经导电胶与金属丝粘接在一起,与现有技术相比,本实用新型片既保证了主栅线的数量,同时在提高主栅线深度的前提下,缩小其宽度,从而增大正面受光面积,使其可以收集更多的电流,降低电池片串联的电阻,同时利用金属丝和银浆层的复合结构,能够有效减少银浆耗量,节约成本。
【技术领域】
本实用新型涉及太阳能电池片结构的技术领域,特别是涉及一种高阻密栅多晶体太阳能电池片。
【背景技术】
目前晶体硅太阳能电池产业技术已经非常成熟,然而与常规能源相比,相对较高的成本与较低的光电转换效率制约了光伏产业的发展,对于如何降低成本及提高光电转换效率,人们进行了大量的研究。
其中栅线是太阳能电池的重要组成部分,它负责把电池体内的光生电流引入电池外部,为了减小栅线的自身电阻引起的功损,栅线的设计应该是粗而密;同时,为了尽可能多的让光进入到电池中,又需要栅线细而疏,所以在给定光照的情况下就需要一个栅线的最优化设计。高阻密栅工艺就是太阳能电池提高光电转换效率的一个发展方向,采用增加主栅线的数量来降低串联电阻,其中高阻指扩散方阻较大,扩散方阻越大,少子在表面复合的就越少,短路电流越大,从而光电转换效率越高,但是由于太阳能电池正面的主栅线的印刷浆料一般为银浆,增加主栅线的数量,必然会增加银浆的耗量,从而会增加太阳能电池的生产成本。
【实用新型内容】
本实用新型的目的就是解决现有技术中的问题,提出一种高阻密栅多晶体太阳能电池片,能够提高光电转换效率,同时降低银浆的耗量。
为实现上述目的,本实用新型提出了一种高阻密栅多晶体太阳能电池片,包括多晶硅片和设置在所述多晶硅片上的电极,所述电极包括设置在所述多晶硅片受光面的正面电极以及设置在所述多晶硅片背光面的背面电极,所述正面电极包括彼此平行的若干主栅线以及与所述主栅线连接的若干副栅线,所述主栅线与副栅线垂直连接,所述多晶硅片的受光面开设与所述主栅线位置对应的银浆槽,所述主栅线嵌入在所述银浆槽内,所述主栅线包括位于银浆槽底部的金属丝以及覆盖在所述金属丝上并经印刷制成的银浆层,所述银浆层经导电胶与所述金属丝粘接在一起。
作为优选,所述副栅线中设有与主栅线连接的相交部,所述相交部的长度大于所述主栅线的宽度,所述相交部从副栅线中向两侧凸起,并使其宽度大于副栅线的宽度。
作为优选,所述多晶硅片背光面设有铝背场,所述背面电极设置在所述铝背场,所述背面电极为若干导电胶条。
作为优选,所述背面电极呈断续状设置在所述铝背场。
作为优选,所述相邻两根主栅线之间第三主栅线呈断续状设置。
作为优选,所述银浆槽的宽度由上至下逐渐缩小并呈梯形。
本实用新型的有益效果:与现有技术相比,本实用新型片既保证了主栅线的数量,同时在提高主栅线深度的前提下,缩小其宽度,从而增大正面受光面积,使其可以收集更多的电流,降低电池片串联的电阻,同时利用金属丝和银浆层的复合结构,能够有效减少银浆耗量,节约成本。
本实用新型的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。
【附图说明】
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型的剖面示意图;
图3是本实用新型中主栅线与副栅线的连接示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的