[实用新型]太阳能电池片及其组串互联结构有效
申请号: | 201920775326.X | 申请日: | 2019-05-28 |
公开(公告)号: | CN210245518U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 李江 | 申请(专利权)人: | 江阴市悦渠咨询有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224 |
代理公司: | 江阴市永兴专利事务所(普通合伙) 32240 | 代理人: | 彭春艳 |
地址: | 214400 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 组串互 联结 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池片及其组串互联结构,所述电池片的正面包括若干个结构相同、彼此绝缘隔离的正面电极区域,电池片的背面对应各个正面电极区域设置独立的背面电极区域;正面电极区域均匀设有栅线和连接栅线的若干小孔,小孔穿过电池片和对应的背面电极相连,各小孔和本区域的背面电极绝缘。本实用新型将电池片的正负电极都设置于背面,组串互联结构只需在相邻两个电池片的背面用焊带连接两个电极,具有减少焊带长度和用量、降低使用成本、减小电池组串的电流失配损耗和提高太阳能组件效率等多种优点,推广应用价值高。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种太阳能电池片及其组串互联结构。
背景技术
太阳能电池的组件的发电效率受到很多因素的影响,其中电池片的受光面积受焊带影响较大。目前,由荷兰太阳能电池生产商Solland Solar开发的MWT(metallizationwrap-through,金属穿孔卷绕)技术广泛用于解决这一问题。该技术应用P型多晶硅,通过激光钻孔将电池正面收集的能量穿过电池转移至电池的背面。这种方法使每块电池的输出效率提高了2%,再与电池组件相连接,所得的输出效率能提高9%。但是在MWT电池组件连接的过程中,仍存在因电池片性能差异导致的电流失配情况,不利于组件效率的进一步提高。
实用新型内容
针对上述技术问题,本实用新型提供了一种太阳能电池片及其组串互联结构,其将电池片的正负电极都设置于背面,组串互联结构只需在相邻两个电池片的背面用焊带连接两个电极,减少了焊带长度和用量,减小了电池组串的电流失配损耗,提高了组件效率,节约了使用成本,综合效益好。
为实现上述技术目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种太阳能电池片,其特征在于:所述电池片的正面包括若干个结构相同、彼此绝缘隔离的正面电极区域,电池片的背面对应各个正面电极区域设置独立的背面电极区域;正面电极区域均匀设有栅线和连接栅线的若干小孔,小孔中填充导电材料;背面电极区域通过印刷金属浆料的方式设置成块状结构,块状结构的一侧向外延伸出若干个背面电极,背面电极位于上一正面电极区域的各个小孔的正背面,小孔穿过电池片和对应的背面电极相连,各小孔和本区域的背面电极绝缘。
作为优选,所述导电材料采用银浆、铝浆、导电胶或铜丝中的任一种。
作为优选,所述电池片为通过PN结进行电荷分离的硅基太阳能电池, 电池片的正面各区域之间通过切断PN结进行绝缘隔离。
本实用新型还公开了一种上述太阳能电池片的组串互联结构,其特征在于:由两个以上的太阳能电池片组成电池片串,太阳能电池片的最外侧的背面电极区域设有位置、数量均与小孔对应的焊带,太阳能电池片最外侧的小孔和下一个太阳能电池片最外侧的背面电极区域的焊带连接。
由于采用了上述技术方案,本实用新型具有如下技术效果:
(1)、一个整片电池相当于被平均分成了N个串联的小电池,每个小电池的电流就是整片电池的N分之一,减少了电流失配损失,提高了组件效率;
(2)电池片的正面电极通过小孔被引导至背面,所以组串时正面将没有焊带遮挡,同时焊带全部在背面,正面的封装材料EVA厚度减少,外观更加美观,焊接更加容易,而且提高了电池正面的可利用受光面积,提高了组件单位面积的功率;
(3)、电池片不需要正面焊带,背面也只在组串互联时通过较短焊带连接,因此电池片之间可以做到无缝连接,减少了封装材料的使用,组件封装面积更小;
(3)、由于只有背面有焊带,并且焊带很短,降低组件串联电阻从而提高了组件功率,电池间的焊带很薄,可以减少电池隐裂,降低碎片,减少封装材料EVA的厚度,进一步降低焊带成本;
(4)、电池片的正面各区域之间可通过激光切割方式切断PN结实现绝缘隔离,不存在电池分片过程中(电池通过切割后掰成若干个小片)造成的碎片和热损伤;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的