[实用新型]一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器

权利要求书

1.一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器，其特征在于，包括输入Lange耦合桥、输出Lange耦合桥、第一放大电路、第二放大电路，所述输入Lange耦合桥的右上端、右下端分别连接第一放大电路、第二放大电路的输入端，所述第一放大电路、第二放大电路的输出端分别连接输出Lange耦合桥的左上端、左下端，所述输入Lange耦合桥的输入端连接Pin端，输出Lange耦合桥的输出端接Pout端；

所述第一放大电路包括依次连接的匹配单元一、场效应管Q1、匹配单元二、场效应管Q2、匹配单元三、场效应管Q3、匹配单元四，和馈电单元一、馈电单元二、负反馈单元一，所述馈电单元一、馈电单元二均分别向场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3的栅极和漏极馈电，所述负反馈单元一连接在场效应管Q3的栅极和漏极之间，所述场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3的源极均接地；

所述第一放大电路与第二放大电路电路拓扑机构、元器件参数、功能均相同，第一放大电路、第二放大电路关于Pin端、Pout端上下对称。

2.根据权利要求1所述的一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器，其特征在于，所述匹配单元一包括依次串联连接的电容C1和微带线TL2，所述电容C1的左端接输入Lange耦合桥的输出端，微带线TL2的右端接场效应管Q1的栅极，微带线TL2的中部设有开路微带线TL1。

3.根据权利要求1所述的一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器，其特征在于，所述匹配单元二包括依次串联连接的电容C2和微带线TL3，所述电容C2的左端接场效应管Q1的漏极，微带线TL3的右端接场效应管Q2的栅极。

4.根据权利要求3所述的一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器，其特征在于，所述匹配单元三包括依次串联连接的电容C3和微带线TL5，所述电容C2 的左端接场效应管Q2的漏极，微带线TL5的右端接场效应管Q3的栅极，微带线TL5的中部设有开路微带线TL4。

5.根据权利要求1所述的一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器，其特征在于，所述匹配单元四包括依次串联连接的微带线TL6和电容C5，所述微带线TL6的左端接场效应管Q3的漏极，电容C5的右端接输出Lange耦合桥的左上端，所述微带线TL6的中部设有电容C4，所述电容C4的一端连接在微带线TL6上，另一端设有电阻R2，所述电阻R2的上端接地。

6.根据权利要求1所述的一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器，其特征在于，所述馈电单元一包括并联连接的微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9，和电容C8，所述微带线TL7、微带线L8的下端分别设有电感Ln2和电阻R1，所述微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9的上端接VG端，所述电感Ln2、电阻R1、微带线TL9的下端分别接场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3的栅极；所述电容C8的一端连接在微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9与VG端之间，电容C8的另一端接地。

7.根据权利要求1所述的一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器，其特征在于，所述馈电单元二包括并联连接的微带线TL10、微带线TL11、微带线TL12，和电容C9，所述微带线TL10、微带线TL11、微带线TL12的上端均接VD端，下端分别连接效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3的漏极，所述电容C9的一端连接在效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3与VD端之间，另一端接地。

8.根据权利要求1所述的一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器，其特征在于，所述负反馈单元一包括依次串联连接的电感Ln1、电容C6、电容C10，所述电感Ln1的左端接场效应管Q3的栅极，电容C10的右端接地，场效应管Q3的漏极连接在电容C7和电容C10之间。

9.根据权利要求1所述的一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器，其特征在于，所述场效应管Q2的源极与接地之间设有微带线TL13。

10.根据权利要求1所述的一种高性能的平衡式宽带低噪声放大器，其特征在于，所述输入Lange耦合桥、输出Lange耦合桥结构相同，均为X形，枝节和枝节之间均由一次布线薄金属制作成的互联线连接，所述互联线位于枝节上层并且与枝节属不同金属层，互联线与枝节的连接通过刻孔连接；所述输入Lange耦合桥、输出Lange耦合桥的左下端均设有电阻R3，所述电阻R3远离输入Lange耦合桥、输出Lange耦合桥的一端接地。