[实用新型]一种薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201920783768.9 | 申请日: | 2019-05-28 |
公开(公告)号: | CN209708997U | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 李源;赵云;张为苍;眭斌;张文进;杨亮 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人: | 廖苑滨;刘春风<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 516600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 前电极 绝缘层 金属辅助电极 光吸收层 透明基板 薄膜太阳能电池 本实用新型 光伏单元 接触连接 背电极 绝缘层覆盖 显示模组 可见性 面积和 延伸 光伏 反射 外围 保证 吸收 | ||
本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池,其中薄膜太阳能电池包括透明基板和设于所述透明基板上且朝向显示模组布置的光伏单元;所述光伏单元包括设于所述透明基板上的前电极、设于所述前电极上的光吸收层、设于所述光吸收层上的背电极;还包括金属辅助电极和绝缘层,所述绝缘层覆盖所述背电极和光吸收层并延伸至与前电极接触连接,所述金属辅助电极与前电极接触连接并延伸至绝缘层上;所述绝缘层的外围与前电极之间形成一Taper角,所述Taper角的角度范围为35°~75°。实施本实用新型,可以同时保证获得最大的光伏吸收面积和最低的金属辅助电极的反射可见性,且同时保证产品的可靠性。
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域,更具体地涉及一种薄膜太阳能电池。
背景技术
随着技术的进步和对能源问题的亟待解决,太阳能电池作为能源转换装置被广泛地研究和使用,例如将太阳能电池应用在可显示的电子产品(穿戴设备等)上,通常电子产品包括边框区和中间显示区,依据产品的显示外形特征,会采取单结电池或者多结电池串联的设计方式,同时为了提高电池的光伏转换效率,通常会在显示区也设置光伏转换单元。但是为了同时考虑显示区的透光率及视觉效果,显示区内的光伏转换单元的宽度都会设计的非常窄,一般金属电极的宽度在10μm左右。
由于宽度设计很窄,不同的制作工艺对光伏转换单元的有效面积及产品的可靠性影响非常大。
发明内容
为了解决所述现有技术的不足,本发明提供了一种薄膜太阳能电池,通过在所述绝缘层的外围与前电极之间形成一Taper角,所述Taper角的角度范围在35°~75°,可以同时保证获得最大的光伏吸收面积和最低的金属辅助电极的反射可见性,且同时保证产品的可靠性。
本发明所要达到的技术效果通过以下方案实现: 一种薄膜太阳能电池,包括透明基板和设于所述透明基板上且朝向显示模组布置的光伏单元;所述光伏单元包括设于所述透明基板上的前电极、设于所述前电极上的光吸收层、设于所述光吸收层上的背电极;还包括金属辅助电极和绝缘层,所述绝缘层覆盖所述背电极和光吸收层并延伸至与前电极接触连接,所述金属辅助电极与前电极接触连接并延伸至绝缘层上;所述绝缘层的外围与前电极之间形成一Taper角,所述Taper角的角度范围为35°~75°。
优选地,所述背电极和光吸收层还开孔形成有过孔区,所述绝缘层在过孔区与前电极接触连接。
优选地,所述绝缘层在过孔区不完全填充且所述金属辅助电极在过孔区与前电极接触。
优选地,所述绝缘层采用有机类的感光材料。
优选地,所述绝缘层采用SiO2或者SiNx或者α-Si的无机类材料。
优选地,所述金属辅助电极上还设有防反射层,所述防反射层覆盖所述金属辅助电极。
本发明具有以下优点:
1、通过在所述绝缘层的外围与前电极之间形成一Taper角,所述Taper角的角度范围在35°~75°,可以同时保证获得最大的光伏吸收面积和最低的金属辅助电极的反射可见性,且同时保证产品的可靠性;
2、通过在背电极和光吸收层开孔形成过孔区,所述绝缘层在过孔区不完全填充使所述金属辅助电极在过孔区与前电极接触可以进一步减小前电极的电阻。
附图说明
图1为本发明中一种薄膜太阳能电池的平面结构示意图;
图2为图1中A-A处的一种实施方式的剖视结构示意图1(Taper角大);
图3为图1中A-A处的一种实施方式的剖视结构示意图2(Taper角小);
图4为图1中A-A处的另一种实施方式的剖视结构示意图1(Taper角大);
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的