[实用新型]硅片、电池片、电池串以及光伏组件有效
申请号: | 201920800903.6 | 申请日: | 2019-05-30 |
公开(公告)号: | CN213716910U | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 黄卓;蒋秀林;张俊兵 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/042 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 徐颖聪 |
地址: | 225131 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 电池 以及 组件 | ||
本实用新型涉及硅片、电池片、电池串以及光伏组件,该硅片的至少一个侧边上设置有凹槽。根据本实用新型实施例的硅片,在组装光伏组件时,其中相邻的电池片通过导电材料穿过所述硅片上的凹槽相连接,在减小或消除电池片之间间隙区域的同时,避免了电池片‑导电材料‑电池片的重叠,从而避免了光伏组件应力的增加和短路的风险,得到高转换效率、高可靠性的光伏组件。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种硅片及电池片及电池串和光伏组件。
背景技术
传统的太阳能组件中,通常将多片电池片通过焊带相互连接,使焊带的一端连接至电池片的一面电极,另一端连接至相邻电池片的另一面电极,从而形成电池串。由于相邻电池片之间存在2mm左右的间隙区域,增大了光伏组件的面积,造成了受光区域的浪费,影响了整个光伏组件的光电转换率。
目前,市场上出现了减少或消除上述间距区域的排片方式,如申请专利号为CN108963020A的专利文献提出了通过将相邻电池片相互叠加的组件制作方法来消除间距区域,该方法虽然改善了受光区域浪费的问题,但是其使用的焊带需要在电池片叠加位置进行减薄设计,增加了焊带制作的工艺难度和组件制作的对位难度,同时目前常规电池片使用的是边长为120mm~180mm的方形或准方形硅片,在该专利的实施方案中,焊带需要从两片电池片之间穿过,重叠位置处从上至下依次为电池片-焊带-电池片,其厚度的增加使光伏组件应力大大增加,存在着电池片短路的风险,影响了光伏组件的成品率及可靠性。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型的一个目的在于提供一种硅片,根据其制备的电池串能够避免电池片-导电材料-电池片的重叠,在减小或消除电池片之间间隙区域的同时,避免了光伏组件应力的增加和短路的风险。
本实用新型的另一个目的在于提供一种使用上述硅片的电池片。
本实用新型的再一个目的在于提供一种含有上述电池片的电池串,其避免了电池片-导电材料-电池片的重叠,在减小或消除电池片之间间隙区域的同时,避免了光伏组件应力的增加和短路的风险。
本实用新型的又一个目的在于提供一种可以得到高转换效率、高可靠性的光伏组件。
为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
根据本实用新型第一方面实施例的硅片,包括:
在所述硅片的至少一个侧边上设置有凹槽。
优选地,在所述硅片的至少一个侧边上均匀地间隔开设置有多个所述凹槽。
进一步优选地,所述硅片的相对的两个侧边的每条侧边上设置有多个所述凹槽。
优选地,所述凹槽的截面为长方形、梯形或弧形。
根据本实用新型第二方面实施例的电池片,包括上述任一实施例所述的硅片,所述硅片的正面上设置有正面电极且所述硅片的背面设有背面电极,其中所述正面电极与所述硅片的凹槽相对应。
优选地,所述正面电极包括主栅线,所述主栅线的数量不大于所述硅片上其中一个侧边的凹槽的数量,所述主栅线延伸方向与所述硅片上的凹槽的深度方向相一致。
进一步优选地,所述硅片的其中一个侧边上设置的凹槽的个数为4-20。
优选地,所述正面电极包括线段状辅栅线。
进一步优选地,所述硅片的其中一个侧边上设置的凹槽的个数为10-200。
根据本实用新型第三方面实施例的电池串,包括上述任一实施例所述的电池片,其中,所述正面电极通过导电材料穿过所述硅片上的凹槽与相邻的所述电池片的背面电极相连。
优选地,所述正面电极包括主栅线,一个所述电池片的所述主栅线通过焊带穿过所述硅片上的凹槽与相邻的所述电池片的背面电极相连。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶澳(扬州)太阳能科技有限公司,未经晶澳(扬州)太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920800903.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种加热搅拌显温型注射器
- 下一篇:一种灭蚊器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的