[实用新型]一种用于固态存储装置的电源保护结构

权利要求书

1.一种用于固态存储装置的电源保护结构，其特征在于：包括欠压侦测电路、预设负载电路、负载控制电路、保护开关电路，所述欠压侦测电路、预设负载电路分别与电源进线正极、电源进线负极电性连接，所述欠压侦测电路与负载控制电路电性连接，所述负载控制电路与预设负载电路、保护开关电路电性连接，所述保护开关电路设于电源正极进出线之间并与电源负极、接地电性连接，所述固态存储装置分别与电源出线正极、电源出线负极电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于固态存储装置的电源保护结构，其特征在于：所述欠压侦测电路包括第一运算放大器U1、第一精密稳压源U2、第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3、第九电阻R9，所述第一运算放大器U1的具体型号为TL V2221，所述第一精密稳压源U2的具体型号为TL431。

3.根据权利要求2所述的一种用于固态存储装置的电源保护结构，其特征在于：所述的第一电容C1两端连接5V电源和接地，所述5V电源分别与所述第九电阻R9、第三电阻R3、第一运算放大器U1的“VDD”脚位连接，所述第九电阻R9与所述第二电容C2并联后与所述第一运算放大器U1的“+”脚位相连，所述第三电阻R3与所述第一运算放大器U1的“-”脚位相连，所述第一运算放大器U1的“GND”脚位接地，所述的第一精密稳压源U2的参考极与阴极相连后与所述第一运算放大器U1的“-”脚位相连，所述第一精密稳压源U2的阳极接地。

4.根据权利要求3所述的一种用于固态存储装置的电源保护结构，其特征在于：所述预设负载电路包括第二三极管Q3、第二精密稳压源U3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第十电阻R10、第十一电阻R11，所述第二三极管Q3的具体型号为FMMT618TA，所述第二精密稳压源U3的具体型号为TL431。

5.根据权利要求4所述的一种用于固态存储装置的电源保护结构，其特征在于：所述5V电源与所述第四电阻R4、所述第六电阻R6相连，所述第四电阻R4和所述第五电阻R5并联后与所述第二三极管Q3的集电极相连，所述第十电阻R10接地，所述第十电阻R10与所述第十一电阻R11并联后与所述第二三极管Q3的发射极相连，所述第六电阻R6与所述第二三极管Q3的基极相连，所述的第二精密稳压源U3的参考极与并联的所述第十电阻R10、所述第十一电阻R11连接，所述的第二精密稳压源U3的参考极与第二三极管Q3的发射极相连，所述的第二精密稳压源U3的阴极与所述第六电阻R6、所述第二三极管Q3的基极、所述第二三极管Q3的集电极相连，所述的第二精密稳压源U3的阳极连接电源Vin-。

6.根据权利要求5所述的一种用于固态存储装置的电源保护结构，其特征在于：所述负载控制电路包括第三三极管Q4、第七电阻R7，所述第三三极管Q4的具体型号为BC817，所述第三三极管Q4的发射极接地，所述第三三极管Q4的集电极与所述第二三极管Q3的基极相连，所述第七电阻R7与所述第一运算放大器U1的“Out”脚位相连，所述第七电阻R7与所述第三三极管Q4的基极相连。

7.根据权利要求6所述的一种用于固态存储装置的电源保护结构，其特征在于：所述保护开关电路包括第一MOS管、第一三极管Q2、第一电阻R1、第八电阻R8，所述第一MOS管的具体型号为MOSFET-N，所述第一三极管Q2的具体型号为BC817，所述第一MOS管Q1的漏极与第一电阻R1以及5V电源相连，所述第一MOS管Q1的栅极与第一电阻R1以及第一三极管Q2的集电极相连，所述第一MOS管Q1的源极作为电源Vout+，所述的第一三极管Q2的发射极接地，所述第一三极管Q2的基极与所述第八电阻R8相连，所述第八电阻R8与所述第一运算放大器U1的“Out”脚位相连。

8.根据权利要求1所述的一种用于固态存储装置的电源保护结构，其特征在于：所述的预设负载电路的恒定工作电流为2A，与高性能固态存储装置的峰值电流相符。