[实用新型]多结太阳能电池

权利要求书

1.一种多结太阳能电池，其特征在于，包括N个子电池(20)和N-1个隧道结(30)，N个所述子电池(20)沿第一方向层叠设置，各所述隧道结(30)设置在相邻的两个所述子电池(20)之间，所述隧道结(30)包括沿所述第一方向顺序层叠的n型重掺杂层(302)、变质缓冲层(303)和p型重掺杂层(304)，所述变质缓冲层(303)包括渐变缓冲层(3032)，所述n型重掺杂层(302)的晶格常数为A，所述p型重掺杂层(304)的晶格常数为B，N为大于等于2的正整数；

所述渐变缓冲层(3032)中具有III族元素，所述III族元素的晶格常数在A与B之间，且所述渐变缓冲层(3032)的晶格常数为C，(A-C)/A为第一失配率，所述第一失配率不超过2％，(B-C)/B为第二失配率，所述第二失配率不超过2％；或者

在所述n型重掺杂层(302)指向所述p型重掺杂层(304)的方向上，所述渐变缓冲层(3032)中III族元素的晶格常数在A与B的范围内逐渐变化。

2.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述渐变缓冲层(3032)的材料为化合物半导体材料，在所述n型重掺杂层(302)指向所述p型重掺杂层(304)的方向上，所述渐变缓冲层(3032)中的任意组分的摩尔浓度逐渐变化。

3.根据权利要求2所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述渐变缓冲层(3032)中的任意组分的摩尔浓度逐渐变化包括：

所述渐变缓冲层(3032)的材料为AlGaAs，在所述n型重掺杂层(302)指向所述p型重掺杂层(304)的方向上，AlGaAs中Al元素的摩尔浓度逐渐增大或逐渐减小；或

所述渐变缓冲层(3032)的材料为GaInP，在所述n型重掺杂层(302)指向所述p型重掺杂层(304)的方向上，GaInP中Ga元素的摩尔浓度逐渐增大或逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述变质缓冲层(303)还包括位于所述n型重掺杂层(302)与所述渐变缓冲层(3032)之间的第一缓冲层(3031)，所述第一缓冲层(3031)与所述n型重掺杂层(302)的晶格常数匹配。

5.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述变质缓冲层(303)还包括位于所述p型重掺杂层(304)与所述渐变缓冲层(3032)之间的第二缓冲层(3033)，所述第二缓冲层(3033)与所述p型重掺杂层(304)的晶格常数匹配。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述隧道结(30)还包括n型势垒层(301)，所述n型势垒层(301)设置于所述n型重掺杂层(302)远离所述变质缓冲层(303)的一侧，所述n型势垒层(301)的禁带宽度大于所述n型重掺杂层(302)的禁带宽度。

7.根据权利要求6所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述n型势垒层(301)的掺杂浓度低于所述n型重掺杂层(302)的掺杂浓度。

8.根据权利要求6所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述隧道结(30)还包括p型势垒层(305)，所述p型势垒层(305)设置于所述p型重掺杂层(304)远离所述变质缓冲层(303)的一侧，所述p型势垒层(305)的禁带宽度大于所述p型重掺杂层(304)的禁带宽度。

9.根据权利要求8所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述p型势垒层(305)的掺杂浓度低于所述p型重掺杂层(304)的掺杂浓度。

10.根据权利要求8所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述隧道结(30)为超晶格结构，所述超晶格结构包括多个重复单元(310)，各所述重复单元(310)由所述n型势垒层(301)、所述n型重掺杂层(302)、所述变质缓冲层(303)、所述p型重掺杂层(304)和所述p型势垒层(305)组成。