[实用新型]用于核辐射探测的半导体中子探测器

权利要求书

1.一种用于核辐射探测的半导体中子探测器，其特征是，所述用于核辐射探测的半导体中子探测器包括：

衬底（100），所述衬底（100）包括连为一体的上部和下部；

A中子转换层（200），所述A中子转换层（200）形成于所述衬底（100）的上部，且所述A中子转换层（200）上表面设有A金属层（210）；

B中子转换层（300），所述B中子转换层（300）形成于所述衬底（100）的下部，且所述B中子转换层（300）下表面设有B金属层（310）；

电子收集层（400），所述电子收集层（400）形成于所述 A中子转换层（200）外周的衬底（100）的上部。

2.如权利要求1所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器，其特征是，所述A中子转换层（200）包括多道间隔设置的沟槽结构（220），所述沟槽结构（220）从衬底（100）的上表面向衬底（100）内延伸，且所述沟槽结构（220）中填充有中子转化材料；

所述沟槽结构（220）的表面以及相邻两道沟槽结构（220）之间的A中子转换层（200）上表面形成P型浅扩散层（230）。

3.如权利要求1或2所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器，其特征是，所述B中子转换层（300）包括多道间隔设置的沟槽结构（220），所述沟槽结构（220）从衬底（100）的下表面向衬底（100）内延伸，且所述沟槽结构（220）中填充有中子转化材料；

所述沟槽结构（220）的表面以及相邻两道沟槽结构（220）之间的B中子转换层（300）上表面形成P型浅扩散层（230）。

4.如权利要求1所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器，其特征是，所述电子收集层（400）呈封闭环形。

5.如权利要求1所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器，其特征是，所述电子收集层（400）包括C金属层（410）和N型注入层（420），所述N型注入层（420）从所述衬底（100）的上表面向所述衬底（100）内延伸，所述C金属层（410）设于所述N型注入层（420）上。

6.如权利要求1所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器，其特征是，位于电子收集层（400）与A中子转换层（200）之间的衬底（100）上表面上形成有绝缘层（500）。

7.如权利要求1或6所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器，其特征是，位于所述电子收集层（400）外周的衬底（100）上表面上形成有绝缘层（500）。

8.如权利要求1所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器，其特征是，所述衬底（100）采用Si、GaAs、GaN、AlN、SiC、Ge、SiGe或单晶金刚石中的一种。