[实用新型]一种散热型芯片扇出结构有效
申请号: | 201920812582.1 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN210073819U | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 王晗;陈剑;陈新;王瑞洲;崔成强;刘强;陈新度;徐滢 | 申请(专利权)人: | 王晗 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/473 |
代理公司: | 44489 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王庆海;刘军锋 |
地址: | 510006 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 填充 导电物质 芯片 芯片扇出结构 散热型 本实用新型 空间填充 芯片本体 下基板 芯片槽 冷却介质流动 芯片封装领域 内部元器件 表面开设 发热问题 内部固定 热量传递 散热效率 上基板 电路 | ||
1.一种散热型芯片扇出结构,其特征在于,包括芯片下基板、芯片本体、芯片上基板,所述芯片下基板的表面开设有芯片槽和沟槽,所述芯片槽内部固定所述芯片本体,所述沟槽包括完全填充沟槽和/或部分填充沟槽,至少一个所述沟槽为所述部分填充沟槽,所述完全填充沟槽内全部空间填充导电物质,所述部分填充沟槽内部分空间填充所述导电物质;
所述沟槽包括扇入沟槽和扇出沟槽,所述扇入沟槽连接至少一个所述扇出沟槽,相互连接的所述扇入沟槽和所述扇出沟槽为完全填充沟槽,或相互连接的所述扇入沟槽和所述扇出沟槽为部分填充沟槽。
2.根据权利要求1所述的扇出结构,其特征在于,所述沟槽在同一平面内或不同平面内。
3.根据权利要求1所述的扇出结构,其特征在于,所述沟槽的截面形状包括V形、U形、半圆形、方形中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的扇出结构,其特征在于,所述导电物质为石墨烯、碳纳米管、铜、金、钛中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的扇出结构,其特征在于,所述芯片槽和所述沟槽的加工方式为静电纺丝、激光刻蚀、机械加工中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的扇出结构,其特征在于,所述沟槽为所述部分填充沟槽。
7.根据权利要求1所述的扇出结构,其特征在于,所述芯片下基板的表面还设有回形沟槽,所述回形沟槽与所述沟槽连接,所述回形沟槽内部分填充或完全填充所述导电物质。
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