[实用新型]一种逆变控制装置有效
申请号: | 201920812923.5 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN209731105U | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 颜文非;李超 | 申请(专利权)人: | 西安机电研究所 |
主分类号: | H02M7/515 | 分类号: | H02M7/515;H02M1/42;H02M1/08 |
代理公司: | 61213 西安创知专利事务所 | 代理人: | 谭文琰<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 710075 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可控硅 第一驱动电路 逆变控制装置 本实用新型 微控制器 主模块 逆变 第二驱动电路 发热损耗功率 逆变控制模块 抗干扰能力 脉冲变压器 功率因数 逆变器件 驱动能力 输出端 | ||
本实用新型公开了一种逆变控制装置,包括微控制器和逆变主模块,所述逆变主模块包括第一可控硅和第二可控硅,所述微控制器的输出端接有对第一可控硅进行控制的第一驱动电路和对第二可控硅进行控制的第二驱动电路,所述第一驱动电路和第一驱动电路均包括脉冲变压器。本实用新型结构简单,设计合理,驱动能力高,提高了抗干扰能力,从而使逆变控制模块的稳定性提高,避免逆变器件发热损耗功率,同时提高了逆变控制装置的功率因数,实用性强。
技术领域
本实用新型属于逆变技术领域,尤其是涉及一种逆变控制装置。
背景技术
中频炉是一种将工频50HZ交流电转变为中频为中频炉供电,这其中就需要用到逆变控制装置,逆变控制装置能够将整流柜输出的直流电源转换为所需的交流电,因此逆变控制装置在中频炉得到了广泛的应用。但是目前的逆变控制装置一般采用光电隔离进行驱动,其驱能力较低,在功率较高的中频炉供电中不稳定,抗干扰能力低,如果丢失触发脉冲,将造成逆变开路,烧坏可控硅元件;另外,目前采用的变压器逆变,其功率可以做到较大,但是变压器本身就是一个发热器件,会损耗功率,因此电路功率因数不高。因此,现如今缺少一种结构简单、设计合理的逆变控制装置,驱动能力高,提高了抗干扰能力,从而使逆变控制模块的稳定性提高,避免逆变器件发热损耗功率,同时提高了逆变控制装置的功率因数。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种逆变控制装置,其结构简单,设计合理,驱动能力高,提高了抗干扰能力,从而使逆变控制模块的稳定性提高,避免逆变器件发热损耗功率,同时提高了逆变控制装置的功率因数,实用性强。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种逆变控制装置,其特征在于:包括微控制器和逆变主模块,所述逆变主模块包括第一可控硅和第二可控硅,所述微控制器的输出端接有对第一可控硅进行控制的第一驱动电路和对第二可控硅进行控制的第二驱动电路,所述第一可控硅为可控硅KK1,所述第二可控硅为可控硅KK2,所述可控硅KK1的阳极分三路,第一路与电感L1的一端相接,第二路与二极管D1的阳极相接,第三路与二极管ZK1的阴极相接;所述可控硅KK1的阴极分六路,第一路与二极管ZK1的阳极相接,第二路与二极管ZK2的阴极相接,第三路与可控硅KK2的阳极相接,第四路与电容C1的一端相接,第五路与电容C2的一端相接,第六路为逆变主模块的中间输出端;所述二极管D1的阴极与二极管D2的阳极相接,所述二极管D2的阴极与电阻R2的一端相接,所述电阻R2的另一端分两路,一路与电容C1的另一端相接,另一路与电阻R1的一端相接;所述电阻R1的另一端与电感L1的另一端的连接端为逆变主模块的第一输出端,所述可控硅KK2的阴极分三路,第一路与二极管ZK2的阳极相接,第二路与电感L2的一端相接,第三路与二极管D4的阴极相接;所述二极管D4的阳极与二极管D3的阴极相接,所述二极管D3的阳极与电阻R3的一端相接,所述电阻R3的另一端分两路,一路与电容C2的另一端相接,另一路与电阻R4的一端相接,所述电阻R4的另一端和电感L2的另一端的连接端为逆变主模块的第二输出端,所述第一驱动电路和第二驱动电路均包括脉冲变压器。
上述的一种逆变控制装置,其特征在于:所述第一驱动电路包括脉冲变压器T1和三极管Q2,所述脉冲变压器T1的初级绕组的一端分两路,一路与电阻R35的一端相接,另一路与24V电源输出端相接;所述脉冲变压器T1的初级绕组的另一端分两路,一路与三极管Q2的集电极相接,另一路与二极管D5的阳极相接;所述二极管D3的阴极与电阻R35的另一端相接,所述三极管Q2的基极与微控制器相接,所述三极管Q2的发射极接地,所述脉冲变压器T1的次级绕组的一端与二极管D10的阳极相接,所述二极管D10的阴极分三路,一路与二极管D13的阴极相接,另一路与电阻R14的一端相接,第三路与可控硅KK1的控制极相接;所述脉冲变压器T1的次级绕组的另一端分三路,一路与二极管D13的阳极相接,另一路与电阻R14的另一端相接,第三路与可控硅KK1的阴极相接。
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