[实用新型]传输装置有效
申请号: | 201920813603.1 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN210052725U | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 兰立广 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/68;H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 102200 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载区 衬底 薄膜 柔性支撑层 抽真空孔 传输装置 本实用新型 抽真空机构 传送带 通孔 激光刻蚀工艺 吸附薄膜 承载面 形变 翘曲 吸附 平整 | ||
本实用新型提供一种传输装置,包括传送带,该传送带(1)的承载面(11)包括衬底承载区(111)和围绕在衬底承载区(111)四周的薄膜承载区(112);传输装置还包括柔性支撑层(2)和抽真空机构,柔性支撑层(2)设置在薄膜承载区(112)上,且在柔性支撑层(2)中分布多个通孔;在薄膜承载区(112)和衬底承载区(111)中均分布有多个抽真空孔,抽真空机构用于经由薄膜承载区(112)中的抽真空孔和柔性支撑层(2)中的通孔吸附薄膜(32)超出衬底(31)边缘的部分(32a),及经由衬底承载区(111)中的抽真空孔吸附衬底(31)。本实用新型提供的传输装置,可以实现对薄膜的平整固定,同时避免薄膜发生翘曲及形变,从而便于进行后续的激光刻蚀工艺。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种传输装置。
背景技术
在半导体行业中,外延层剥离技术是实现膜层分离的通用技术。外延层的厚度一般只有几个微米的厚度,非常的轻薄,为了便于后续工艺的进行,通常需要在剥离之前在外延层上覆盖一层高分子聚合物薄膜作为支撑体,在常规的工艺中,实现高分子聚合物薄膜与包含外延层的衬底的粘合选用的材料一般采用压敏胶或热熔胶,首先将该材料涂敷在高分子聚合物薄膜上,再通过热压合工艺,实现高分子聚合物薄膜和衬底的粘合。
在现有的生产制造过程中,由于粘合在衬底上的薄膜尺寸远大于衬底尺寸,这使得在对薄膜进行激光刻蚀工艺之前,很难实现对薄膜的平整固定,同时由于在完成薄膜和衬底的粘合工艺之后,薄膜和衬底的温度较高,导致薄膜会存在轻微翘曲及形变的情况,给后续的激光刻蚀工艺带来困难。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种传输装置,用于实现对薄膜的平整固定,同时避免薄膜发生翘曲及形变,从而便于进行后续的激光刻蚀工艺。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种传输装置,包括传送带,所述传送带的承载面包括衬底承载区和围绕在所述衬底承载区四周的薄膜承载区;
所述传输装置还包括柔性支撑层和抽真空机构,其中,
所述柔性支撑层设置在所述薄膜承载区上,且在所述柔性支撑层中分布多个通孔;
在所述薄膜承载区和所述衬底承载区中均分布有多个抽真空孔,所述抽真空机构用于经由所述薄膜承载区中的所述抽真空孔和所述柔性支撑层中的所述通孔吸附所述薄膜超出所述衬底边缘的部分,及经由所述衬底承载区中的所述抽真空孔吸附所述衬底。
可选的,所述柔性支撑层的厚度被设置为使所述柔性支撑层背离所述承载面的表面与置于所述衬底承载区上的所述衬底背离所述承载面的表面相互平齐。
可选的,在所述柔性支撑层上沿所述薄膜承载区的周向环绕设置有环形凹槽,用于限定所述薄膜的切割位置。
可选的,在所述柔性支撑层上,且位于所述环形凹槽的内侧设置有识别码凹槽,用于限定所述薄膜的识别码位置。
可选的,所述抽真空机构包括抽真空泵和抽真空通道,所述抽真空通道分别与各个所述抽真空孔和所述抽真空泵连接。
可选的,还包括支撑板及冷却结构,所述支撑板设置在所述传送带的背离所述承载面的一侧,所述冷却结构包括用于输送冷却媒介的冷却管路,所述冷却管路具有用于输出和输入所述冷却媒介的出口和入口,所述冷却管路设置于所述支撑板中。
可选的,所述传输装置还包括可沿垂直于所述承载面的方向移动的按压结构,用于压平所述薄膜。
可选的,所述按压结构包括按压板和第一驱动机构,其中,
所述按压板在所述承载面上的正投影至少完全覆盖所述衬底承载区和所述薄膜承载区;
所述第一驱动机构用于驱动所述按压板沿垂直于所述承载面的方向移动至与所述薄膜接触的第一位置或者与所述薄膜分离的第二位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造